文档介绍：目录第一章量子点位置可控生长的研究现状§自组织生长锗硅最子点及其存在的主要问题⋯⋯⋯⋯⋯⋯.:⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§图案衬底生长锗硅量子点⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一§分子束外延技术简介⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§聚苯乙烯纳米球自组织单层密堆积排列⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§纳米球刻蚀图案衬底上量子点的生长⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第五章总结与展望⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯参考文献⋯会议文章⋯⋯⋯。致谢⋯⋯⋯⋯⋯.摘要§提高量子点有序性的方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..§本文的主要工作⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.第二章生长系统与测试系统介绍§锗硅分子束外延系统简介⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.§原子力显微镜⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第三章图案硅衬底的制备§纳米球刻蚀技术⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§.糠ㄅ帕芯郾揭蚁┠擅浊虻ゲ惚∧ぁ§.怪闭舴⒎ㄅ帕芯郾揭蚁┠擅浊虻ゲ惚∧ぁㄅ帕芯郾揭蚁┠擅浊虻ゲ惚∧ぁ§硅图案衬底的制作⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..第四章图案硅衬底上量子点的生长⋯⋯。§图案衬底上的量子点生长⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§温度对图案衬底上量子点生长的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯§.煌露认鹿饪掏及赋牡咨狭孔拥闵さ慕峁§.笛榻峁致邸§.笛榻崧邸发表文章§
援旦大擎【系别:物理堂丕专业:趟鬈查物理导师:鲑握扬副教授硕士论文陈培炫论文题目:图案硅衬底上锗硅量子点生长作者:睦蟹煊摘要本文研究了一种新型的周期可控的大面积坑形硅图案衬底的制备方法。首先利用自组装方法在疏水硅砻媾帕谐龅ゲ阌行蛎芘帕械木郾揭蚁┠擅球薄膜,纳米球的直径范围为微米至纳米。然后以纳米球薄膜为模板喷金,结合金对硅的催化氧化,在硅片表面形成网格状的金一氧化硅模板。在去除聚苯乙烯纳米球之后,利用氢氧化钾对硅的各向异性腐蚀,在硅片表面形成二维有序的坑形衬底图案,图案周期等于聚苯乙烯球的直径。通过调节所用聚苯乙烯球的尺寸,可以相应调节图案周期从数微米至擅滓韵隆M保ü鹘诠片化学腐蚀的参数,可以调控图案坑形的形貌。由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。此外,我们研究了温度对坑形图案衬底上锗硅量子点上生长的影响。不同温度下对应着三种不同的生长情况:臀孪碌亩κ芟奚ぃ屑涫当温度下有序量子点的生长;呶孪挛扌蛄孔拥愕纳ぁ1疚拇佣ρЫ度定性的解释了不同温度下量子点的生长情况。此定性解释可以作为优化图案衬底上有序量子点生长参数的参考依据。关键词:自组装;纳米球刻蚀;图案衬底;锗硅量子点;分子束外延;原子力显微镜:中图分类号:、■
後旦火擎:籲硕士论文陈培炫..甌琣曲....籶..猟猵:,甀籊籱籥.:猻,痭
後里大学△艮巳祸第一章量子点位置可控生长的研究现状其中￡M庋硬鉈的应变能,3牡譇的表面能,厶M庋硬鉈与衬硕士论文陈培炫如上图所示,当△∮诹闶保牧螦则层状生长,也称つJ健H△笥诹悖蛲庋硬鉇在衬底上生长时,则按岛状模式生长,也称为生变等,可以相应改变量子点的能级结构【俊4送猓捎诹孔拥阃ǔG度肓硪话:;眨貉,§自组织生长锗硅量子点及其存在的主要问题量子点研究是纳米材料科学与技术研究中的一个非常热门的研究方向。载流子在半导体量子点中受到三维限制而导致载流子能级的分裂,如同原子的分立能级结构,所以通常也把半导体量子点称为人造原子。半导体量子点作为人造原子,与实际原子相比较有其优异性。例如,通过改变半导体量子点的尺寸,组分,应导材料中,如锗量子点嵌入硅体材料中,利用半导体工艺技术,通过对主体半导体材料结构的加工,可以反过来调控量子点的性质【俊S捎谄涠捞氐男灾剩子点在未来的纳米电子,光电子器件中将有着重要的应用前景。半导体量子点的生长主要利用异质结外延生长的模式。在异质结外延生长,有三种生长模式,分别为层状生长、岛状生长和层加岛生长。异质结外延生长遵循何种模式,主要区取决于外延层内应变能及表面能的变化。假设材料在衬底贤庋由ぃ饫锒ㄒ遄苣芰勘浠#底慕缑婺埽珽为衬底谋砻婺堋长模式。而甂生长模式中,外延层和衬底间的晶格失配较大,但是在外延的初;·△鼍罗△;众黝,墨“獬衢俊’口女%韶毪辫馸⋯取眣麓,端啊籭煮吏琛
後堡大擎硕士论文陈培炫始阶段,△￡小于零,外延材料梢酝ü孕伪涫视Ц袷洌远断积累,当浸润层厚度达到某一个临界值时,△笥诹悖孕伪涠阕状模式生长,,应变能