文档介绍：电磁屏蔽技术
中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1
屏蔽后的场强E2
对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:
SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB
中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
实心材料屏蔽效能的计算
入射波
场强
距离
吸收损耗A
R1
R2
SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B
＝ R＋ A＋B
B
中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
波阻抗的概念
波阻抗
电场为主 E  1/ r3 H  1 / r2
磁场为主 H  1/ r3 E  1/ r2
平面波 E  1/ r H  1/ r
377
/ 2
到观测点距离 r
E/H

中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
吸收损耗的计算
t
入射电磁波E0
剩余电磁波E1
E1 = E0e-t/
A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t /  ) dB


A ＝ ( t /  ) dB
A = t  f rr dB
中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
趋肤深度举例
中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
反射损耗
R ＝ 20 lg
ZW
4 Zs
反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。
ZS = 10-7 f r/r
远场：377
近场：取决于源的阻抗
同一种材料的阻抗随频率变
中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
不同电磁波的反射损耗
远场: R ＝ 20 lg
377
4 Zs
4500
Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m）
f = 电磁波的频率（MHz）
2 D f
D f Zs
Zs
电场: R ＝ 20 lg
磁场: R ＝ 20 lg
dB
中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
影响反射损耗的因素
150
1k 10k 100k 1M 10M 100M
平面波
3 108 / 2r
f
R(dB)
r = 30 m
电场r = 1 m
靠近辐射源
r = 30 m
磁场 r = 1 m
靠近辐射源
中国电子科技学术网
电磁屏蔽技术
综合屏蔽效能 ()
150
250
平面波
0
1k 10k 100k 1M 10M
高频时
电磁波种类
的影响很小
电场波 r = m
磁场波 r = m
屏蔽效能（dB）
频率