文档介绍：第十五章版图与封装
第十五章版图与封装
提纲
1、版图概述
2、版图技术
3、衬底耦合
4、封装
第十五章版图与封装
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一、版图概述
版图定义为制造集成电路时所用的掩膜版上的几何图形。
包括如下几层：n阱、有源区、多晶硅、N+、P+、接触孔、金属层等。
注意：
1、N阱环绕器件时必须有足够的余量；
2、每个有源区必须被注入区包围，且两者边界有足够的距离；
3、栅区需要一块独立的掩膜版；
4、接触孔提供了有源区和多晶到第一层金属的连接。
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1、设计规则
每个晶体管的W和L都是由电路设计决定的，但版图中其他大多数尺寸都要受“设计规则”的限制。
设计规则就是不管制造工艺的每一步出现什么样的偏差都能确保正确制造晶体管和各种连接的一套规则。
设计规则主要可归纳为四种。
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最小宽度
几何图形的宽度和长度必须大于一个最小值，该值由光刻和工艺水平决定。
如：多晶硅的宽度太窄，会导致多晶硅断开，或者局部出现大电阻。
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最小间距
同一掩膜层，各图形之间的间隔必须大于最小间距；在某些情况下，不同层的掩模图形之间的间隔也必须大于最小间距。
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最小包围
n阱和注入区环绕晶体管时有一定余量，以确保即使出现制造偏差时器件仍然在n阱和注入里面。
接触孔所连接的两层，对接触孔有一定包围。
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最小延伸
有些图形在其他图形的边缘外至少延长一个最小长度。
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最大尺寸
除上述的四种最小尺寸外，还要遵循一些最大允许尺寸。
例如，为避免“起皮”问题，长金属线的最小宽度通常要大于短金属线的最小宽度，另外需要避免天线效应。
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差动对版图示例
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