文档介绍：上海交通大学
硕士学位论文
关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究
姓名：顾晓健
申请学位级别：硕士
专业：软件工程
指导教师：施国勇;黄臻
20080908
上海交通大学
学位论文原创性声明

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结果由本人承担。

学位论文作者签名：顾晓健

日期：2008 年 12 月 28 日
上海交通大学
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学位论文作者签名：顾晓健指导教师签名：施国勇
日期：2008 年 12 月 28 日日期：2008 年 12 月 28 日
关于改善功率 MOSFET 器件的 UIS 测试能力的方法研究

摘要
本文首先介绍了功率 MOS 管的 UIS（unclamped inductive switching）
测试原理及重要性，通过某公司的实际的案例，解释 UIS 和产品质量之
间相互关系，挖掘影响 UIS 能力的因素，并通过实际案例解释改善功率
MOSFET 器件的三种方法，即改善 contact 工艺，减小 RB，改变设计。
实际案例中的两种 MOSFET 器件 A，B 应用了这三种方法的组合，使
功率 MOSFET 的 UIS 能力和测试合格率有了非常大的提升。

关键词：POWER MOSFET，UIS/UIL，导通电阻(RDSON)，EAS
上海交通大学工程硕士论文
A RESEARCH ON THE METHODS TO IMPROVE THE
UIS CAPACITY FOR POWER MOSFET TESTING

ABSTRACT

The testing principle and the importance of MOSFET UIS (Unclamped
Inductive Switching) are introduced in this article. Through the actual case
study of a company, the relationship between UI