文档介绍：导师签名:乡蜀嚷燕、穆≯本人签名:杀豸飞西安电子科技大学学位论文创新性声明关于论文使用授权的说明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。本人签名:本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业离校后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印、或其它复制手段保存论文。。同时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。日期,『..
,以及相比,第三代宽禁带半导体云溆帕嫉奈锢砘匦和电学特性成为制造高温、大功率、低功耗电子器件的理想材料。在大功率低功耗方面,具有耐高温,,结合甀虯的设计思想,对统督酠结构进行设计改进,⑸贤庋庸档繧和上外延沟道超级结这三种结构分别进行模拟研究。,能够较好地提高器件的反向击穿电压。和积累型啾龋聪蚧鞔┑压从岣咧,但导通电阻则从沟道迁移率为癡·。上外延沟道超级结结构是基于上外延沟道构和传统超级结结构改进得到的,其击穿电压比前者的叱纪ǖ阻却从·岣咧.,有效沟道迁移率为本文的研究工作对菹蚬β蔒挠呕杓朴胁慰技壑怠关键词:导通电阻击穿电压沟道迁移率·.
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目录第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.功率电子学发展现状⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.碳化硅功率的研究意义及发展现状⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.本文的研究内容⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.第二章碳化硅功率器件基础⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..碳化硅晶体结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯甌抡嬷甋材料参数及物理模型⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一仿真工具及求解基本方程⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.锢砟P秃筒牧喜问难∪本章小结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第三章新型碳化硅功率结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯双外延结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯注入外延结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。积累沟道峁埂超级结结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第四章新型碳化硅功率的优化设计⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯目录.
—坌虸结构仿真结果及分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.贤庋庸档繧结构仿真结果及分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯上外延沟道超级结结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第五章工作总结与展望⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯本文工作总结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯课题展望⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯致谢⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯目录.
从几个注鬭胶眉父鯩啪第一章绪论功率电子学发展现状功率电子学包含了电子元器件的使用,电路理论和设计技术的应用,以及对高效电能转换,控制和功率状况分析工具的发展。它在计算机,汽车,照明,通讯产业,空间系统中等得到了广泛的应用。在上述领域中涉及到功率电子器件的应用包括和可控能量供应,汽车发动机控制和功率转换系统,其功率范围在功率电子学发展的初始阶段,汞弧整流器用来