文档介绍：J unction FET M etal O xide S emiconductor FET MOSFET Amplifiers 各种放大器件电路性能比较* ***化镓金属- 半导体场效应管--FET Amplifiers Introduction to FET ◆ BJT 是一种电流控制元件( i B → i C ) -- CCCS , 多子和少子都参与导电,故称为双极型器件。输入电阻较小:r be =10 2 ~ 10 4 ?。◆场效应管(Field Effect Transistor 简称 FET ) 是一种电压控制器件( u GS → i D ) -- VCCS , 只有一种载流子参与导电, 故它是单极型器件. 输入电阻较大:10 9 ~ 10 14 ?。 Introduction to FET ◆特点: 易集成(LSI\VLSI) ,输入阻抗高(1) 结型场效应管- JFET J unction type F ield E ffect T ransister - JFET (2) 绝缘栅型场效应- IGFET I nsulated G ate F ield E ffect T ransister - IGFET 也称金属氧化物场效应 MOSFET M etal O xide S emiconductor FET – MOS FET N 沟道器件-电子作为载流子 P 沟道器件-空穴作为载流子 1 、按参与导电的载流子划分,有: ◆ FET 的分类 2 、按结构来划分,有两大类。 N 沟道 JFET -- N-channel JFET P 沟道 JFET -- P-channel JFET 增强型 MOSFET 耗尽型 MOSFET N 沟道 P 沟道 N 沟道 P 沟道(耗尽型) FET JFET MOSFET (IGFET) 增强型-- Enhancement-mode 耗尽型-- Depletion-mode) JFET ◆ Construction -- 结构◆ Operation -- 工作原理◆ Drain Characteristics --输出特性◆ Transfer Characteristics --转移特性◆ Main parameter --主要参数 Construction and Operation Characteristic curves and Parameters Small-signal model analysis + + N 沟道- N-channel 符号 Construction and Operation of JFET 1. Construction and Symbol 漏极栅极源极导电沟道 SiO 2 金属铝高浓度 P 区 N-JFET 结构演示 D (Drain) - 漏极, G (Gate) - 栅极, S (Source) - 源极. - - - p + + p d s g N d s g - - - N + + N d s g P d s g ◆两个 PN 结夹着一个导电沟道(N 沟道/P 沟道) ◆三个电极: g( 栅极) d( 漏极) s( 源极) ◆符号中的箭头方向表示: PN 结正偏方向( P ? N ) 。 N 型导电沟道 PN 结 PN 结 P 型导电沟道 2. Operation of JFET ( 以 N-JFET 为例) (1) V GS 对沟道的控制作用: V GS <0 , V DS =0 ①当 V GS =0 时, 导电沟道最宽。②当 V GS ↓时, PN 结反偏, 耗尽层变宽, 导电沟道变窄, 沟道电阻增大。③当 V GS ↓到一定值时, 沟道完全合拢。◆夹断电压 V P : 使导电沟道完全合拢时对应的栅源电压 V GS . N g d s + p V GG + p p s d + g GG N V + p N GG g + s d p V p + V GS 对沟道的控制作用: V GS <0 , V DS =0 V GS =0, 沟道最宽 V GS ↓, 沟道变窄 V GS = V P , 沟道夹断◆ V P -- Pinch off Voltage ( 夹断电压) ◆ N - JFET: V P <0 。 P - JFET: V P >0 。(2) V DS 对沟道的控制作用: V GS =0 , V