文档介绍：第四章无机材料化学????第四章无机材料化学第四章无机材料化学****题: 2,3,4,5,7,12, 13 无机功能材料举例电功能材料导体、半导体和绝缘体的导体超导体电子陶瓷光功能材料无机固体材料的合成助熔剂法水热法区域熔炼法化学气相输送法烧结陶瓷无机固体的结构零维岛状晶粉结构密堆积和填隙模型无机晶体结构理论实际晶体理想晶体实际晶体离子固体的导电和固体电解质要点第四章无机材料化学????无机材料的主要存在形态是固体,许多无机材料只能以固体形式存在。对无机固体结构的描述,显然不仅是对离子、原子、分子等有限的核—电子体系的结构描述的单纯放大,它还涉及一些晶体结构理论的认识。在实践上,很多无机固体具有一些特异的性质,包括光学、电学、磁学及声、热、力等性质以及它们的相互转化。还有一些无机固体具有催化、吸附、离子交换等特性。所以,无机固体化学作为一门涉及物理学、化学、晶体学、各种技术学科等的独立边缘学科,以科学发展史上少有的先例的飞快速度而蓬勃发展起来。第四章无机材料化学???? 无机固体材料的合成许多无机固体材料的熔点很高,在达到其熔点之前便先行化学分解或者气化。为了制备这些物质的单晶可以寻找一种或数种固体作助熔剂以降低其熔点。将目标物质和助熔剂的混合物加热熔融,并使目标物质形成饱和熔液。然后缓慢降温,目标物质溶解度降低,从熔体内以单晶形式析出。第四章无机材料化学???? 1 助熔剂法制备钇铝石榴石钇铝石榴石 Y 3 Al 5O 12 是激光的基体材料,它的单晶是使用助熔剂法来制备的。 %( 摩尔分数)的Y 2O 3, 7%( 摩尔分数)的 Al 2O 3, %( 摩尔分数)的 PbO 、 %( 摩尔分数)的 PbF 2 放于铂坩埚,密封加热至 1 150 ～ 1 160 ℃熔融、保温 24 h后以4 ℃/h的速度降温到 750 ℃,随即停火冷却到室温。然后用热稀 HNO 3 洗去 PbO 和 PbF 2 助熔剂,即可得到 mm 直径的钇铝石榴石。第四章无机材料化学????许多无机固体在常压下难溶于纯水、酸或碱溶液,但在高温高压下却可以溶解。因此,可以将目标物质与相应的酸、碱水溶液盛于高压釜中令目标物质达到饱和态,然后降温、降压,使其以单晶析出,如水晶、刚玉、超磷酸盐分子筛等单晶都可用这种方法制得。第四章无机材料化学???? 2 水热法制备水晶( α-SiO 2)和沸石(分子筛)单晶水晶(α-SiO 2) 单晶是在高压釜中装入 ~ mol ·L -1 SiO 2的 NaOH 溶液,溶液占高压釜的体积的 80 %~85 %, 密封后加热,令釜的下半部达 360 ～380 ℃,上半部达 330 ~350 ℃,压力为(1 000 ~ 20 000) ×10 5 Pa 。 SiO 2 在下半部形成饱和溶液,上升到上半部,由于上半部温度低,溶液呈过饱和态从而析出α-SiO 2水晶单晶。第四章无机材料化学????沸石(分子筛)的合成: NaAl(OH) 4(水溶液)+ Na 2 SiO 3(水溶液)+ NaOH( 水溶液)↓25 ℃ Na a (AlO 2) b (SiO 2) c· NaOH ·H 2 O ( 凝胶)压力↓25~175 ℃ Na x (AlO 2) x (SiO 2) y· mH 2 O ( 沸石(分子筛)晶体) 第四章无机材料化学???? 3区域熔炼法制单晶硅区域熔炼法是将目标物质的粉末, 烧结成棒状多晶体,放入单晶炉,两端固定,注意不要使多晶棒与炉壁接触,这样,棒四周就是气体气氛。然后用高频线圈加热,使多晶棒的很窄一段变为熔体,转动并移动多晶棒,使熔体向一个方向缓慢移动,如果重复多次。由于杂质在熔融态中的浓度远大于在晶态中的浓度,所以杂质将集中到棒的一端,然后被截断弃去。同时,经过这种熔炼的 s l 目标物质杂质加热为单晶棒。在半导体上十分有用的单晶硅、***化镓就是通过这种方法获得的。过程,多晶棒转变第四章无机材料化学???? 4 化学气相输运法化学气相输运法是一种前途广阔的十分奇特的制备方法。将目标物质或者是可得到目标物质的混合物与一种可以与之反应生成气态中间物的气态物质一起装入一密封的反应器中,目标物与气态物质生成一种气态中间物质并转运至反应器的另一端,再分解成目标物质沉积下来或形成单晶。