文档介绍：晶圆制造基本工艺介绍目录?晶圆主要制程简介?双极工艺流程简介? MOS 工艺流程简介半导体产业链长电新顺半导体制造环境要求?主要污染源:微尘颗粒、重金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属例子。?超净间:洁净等级主要由微尘颗粒数/ft 3 I级 35 3 1 NA 10 级 350 75 30 10 NA 100 级 NA 750 300 100 NA 1000 级 NA NA NA 1000 7 IC 制程简图封装测试封装测试 Implant Implant Etch 图形 Etch 图形 Litho Litho Thin Film Thin Film 表面处理表面处理 Raw Wafer Raw Wafer Finished Wafer 循环 X次 Diffusion Diffusion Diffusion: 氧化扩散 Thin Film: 薄膜成长 Litho: 光刻(图形转移) Etch: 刻蚀(图形形成) Implant: 离子注入扩散氧化卧式炉管立式炉管扩散氧化工艺的设备是炉管,按圆片放置方式分为立式和卧式两种按工艺时的工作压力分为常压炉管和低压炉管常压炉管按工艺分一般有氧化,掺杂,推阱,退火,回流,合金等低压炉管按工艺分一般有多晶( LPPoly ),氮化硅( LPSiN ) ,TEOS 氧化层( LPTEOS ),原位掺杂( In-suit Doping Poly), 掺氧多晶硅( SIPOS )等薄膜成长薄膜成长的主要目的是在圆片表面以化学或物理方式淀积上所需要的膜层。薄膜沉积技术已发展为二个主要方向: (1)化学气相沉积( Chemical Vapor Deposition ),简称为 CVD 按工艺条件分: 1. APCVD (常压 CVD ) 2. LPCVD (低压 CVD ) 3. PECVD (等离子增强 CVD ) 4. PCVD (光 CVD ) 按生成膜的性质类型分: 1. 金属 CVD 2. 半导体 CVD 3. 介质 CVD (2)物理气相沉积( Physical Vapor Deposition ),简称为 PVD 按工艺条件分: ( Evaporation Deposition ) ( Sputtering Deposition ) PVD 主要用于金属层形成。光刻前处理( PRIMING ) 涂胶( Coating ) 曝光( EXPOSURE ) 显影前烘焙( PreEx B) 显影( DEVELOPING ) 坚膜( Hard Bake ) 显检( INSPECTION ) 测量( METROLOGY ) 下工序返工( REWORK ) 软烘( Soft Bake ) 光刻的目的是将设计图形转移到硅片上。光照光阻 PR 光罩刻蚀 PR 刻蚀的目的是去除显影后裸露出来的物质,实现图形的转移。刻蚀主要分为使用化学溶液的湿法蚀刻和使用气体的干法蚀刻。湿法刻蚀一般使用湿法槽,主要分为氧化层刻蚀, SiN 刻蚀, 金属刻蚀,硅刻蚀等干法刻蚀一般有等离子刻蚀( PE)和反应离子刻蚀( RIE ), 可以去除氧化层, SiN ,多晶硅,单晶硅,金属等工艺膜层刻蚀后离子注入离子注入技术可将杂质以离子型态注入半导体组件的特定区域上,以获得精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够能量与速度,以穿透(注入)薄膜, 到达预定的注入深度。离子注入制程可对注入区内的杂质浓度加以精密控制。基本上,此杂质浓度(剂量)由离子束电流(离子束内之总离子数)与扫描率(晶圆通过离子束之次数) 来控制,而离子注入之深度则由离子束能量之大小来决定。离子注入的主要参数有注入能量,注入剂量和注入角度等。