文档介绍：3 逻辑门电路 MOS 逻辑门电路 TTL 逻辑门电路 逻辑描述中的几个问题 逻辑门电路使用中的几个实际问题教学基本要求: 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门(与、或、与非、或非、异或门)、三态门、 OD 门( OC 门)和传输门的逻辑功能。 3、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。 3. 逻辑门电路 MOS 逻辑门 数字集成电路简介 MOS 开关及其等效电路 CMOS 反相器 CMOS 逻辑门电路 CMOS 漏极开路门和三态输出门电路 CMOS 传输门 CMOS 逻辑门电路的技术参数 1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 2、逻辑门电路的分类二极管门电路三极管门电路 TTL 门电路 MOS 门电路 PMOS 门 CMOS 门逻辑门电路分立门电路集成门电路 NMOS 门 数字集成电路简介 集成电路:广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路 4000 系列 74HC 74HCT 74VHC 74VHCT 速度慢与 TTL 不兼容抗干扰功耗低 74LVC 74VAUC 速度加快与 TTL 兼容负载能力强抗干扰功耗低速度两倍于 74HC 与 TTL 兼容负载能力强抗干扰功耗低低(超低)电压速度更加快与 TTL 兼容负载能力强抗干扰功耗低 74 系列 74LS 系列 74AS 系列 74ALS 集成电路:广泛应用于中大规模集成电路 数字集成电路简介 。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的 N沟道场效应管( NMOS )和空穴作为载流子的 P沟道场效应管(PMOS) 。 N沟道场效应管 P沟道场效应管栅极源极漏极 MOS 开关及其等效电路 <0,MOS 管处于截止区,iD=0,MOS 管相当于断开状态; VGS 的增加 iD增加,VDS 下降,DS 端的等效电阻相当于 RDS=VDS/iD, 所以 VGS 增加则 RDS 下降。当 VGS 足够大时,RDS ≈0 总结:当 VGS<0,RDS ≈∞当 VGS 足够大时,RDS ≈0 MOS 管的 D-S 极可以看成是受 ui控制的开关。一、场效应管( MOS 管)的开关特性: NMOS u i =V ILu o =V DD G DS R D +V DD 截止状态等效电路 u i =V IHu o =0 G DS R D +V DD 导通状态等效电路 0 )(当导通???????? OL O T GS IH iVu thVVu (1). N 沟道场效应管的开关特性 DD OH O T GS IL iVVu thVVu????????截止)(当 VGS(th) u iu oG DS R D +V DD (2). P 沟道场效应管的开关特性 DD OH O T GS GS GS IH iVVu thVU VUVu?????????截止)( 0当VVu thVU VUVu OL O T GS GS DD GS IL i0 )( 当导通?????????? u i =V IHu o =V DD G SD R S +V DD 截止状态等效电路 u i =V ILu o =0 G SD R S +V DD 导通状态等效电路 u iu oG SD R S +V DD 总结:当 VGS>0,RDS ≈∞当 VGS 足够小时,RDS ≈0 为负值)( thV GS CMOS 反相器 AL 1 +V DD +10V D 1S 1v iv OT N T PD 2S 20V +10V vi vGSN vGSP TN TP vO 0 V 0V -10V 截止导通 10 V 10 V 10V 0V 导通截止 0 V VTN = 2 V VTP = - 2 V 逻辑图 AL?逻辑表达式 v i (A) 0v O (L) 1 逻辑真值表 1 0 )VVV TP TN DD(?>