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文档介绍

文档介绍:LED芯片来料检验规范
LED芯片来料检验规范
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LED芯片来料检验规范
LED CHIP IQC 检验规范
目的
制订 LED CHIP FQC 检验规范。
订定成品入库批允收程序,以确保产品质量达一定水平。
范围
本公司生产之所有 LED 产品均属之。
内容
检验测试项目
光电性检验
外观检验
数值标示检验。
抽样计划(片数定义:芯片片数)
依「产品检验抽样计划」 (WI-20-0101) 抽片执行检验。
光电特性检验( V FH、V FL、 IV )
(1)抽样位置:分页片边缘 4 颗,分页片内围 6 颗,均匀取样。
(2)抽样数量:每片 10 颗。
(3)每片抽样数,每一颗不良,则列一个缺点。
外观检验
(1)PS TYPE 不良晶粒> 2ea/ sheet,列入一个缺点。
(2)NS TYPE 或 PS TYPE 分页面积最长距离< cm 者,不良晶粒>
5ea/sheet,且> 10 ea/wafer 列入一个缺点。
(3)缺点项目之限样标准由制造、 FQC 两单位共同制作, 作为人员检验之依据。 缺点等级代字
主要缺点代字: MA (Major )。
次要缺点代字: MI ( Minor )。
参考文件
本公司产品目录规格书
研发工程产品测试分类规格
其它相关之质量文件
光电特性检验
顺向电压 V FH
依特定之额定电流点测,须低于规格上限。
规格上限应参考测试分类规格及 GaP、 GaAsP、 AlGaAs 产品 T/S 前测站
作业指导书。
缺点等级: MA
顺向电压 V FL
依特定之额定电流点测,须高于规格下限,低于上限。
规格: GaP≧ ,GaAsP≧, AlGaAs (≦V FL≦ ) ,IR
(~ V)。
缺点等级: MI
亮度 Iv / Po
依特定之额定电流点测,须高于规格下限。
规格下限应参考测试分类规格及各产品 T/S 前测站作业指导书判定。
缺点等级: MA
外观检验﹙共同标准﹚
检验项目




缺点等级

晶粒厚度
同一芯片晶粒厚度差≦ 2 mil
MA
UR 同一芯片晶粒厚度差≦ 3 mil

正面电极
电极中心点 1/3 半径范围内,不得有任何异常
电极
MA
(不含刮伤 )
R/3
电极破损 、 铝泡 (金泡)、非化学药水污染
(沾胶
MA
、杂物、硅胶粒、 Ink )、重工造成之金属残印子
(如残钛 )面积应≦ 1/5 原电极面