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第19章 半导体工厂施工组织设计
工程概况
工程简介
本项目工程名称为××。其中主厂房为三层结构，中间区域为生产用洁净厂房，两侧为辅助区域，结构形式为框架结构。其他厂房还包括造排水栋、动力栋和其他辅助建筑。
本项目工期要求为××年×月×日具备工艺设备搬入条件。工作量大，工期紧X且工作强度相对较大，项目材料和设备要求较高，对项目承包商的能力和施工策划提出较高的要求。
xx半导体某某是某某xx国际控股某某的全资子公司，成立于19xx年，在中国某某省注册，注册资金为xxxx万美元。公司总部设在某某，生产基地位于中国某某省xx市。在国内有70%的产品销售权。是一家知名的电子产品、半导体产品开发、生产和销售的某某上市公司。
TFT面板项目由xx半导体某某TFT-LCD面板，由阵列和成盒两道工序组成，基板玻璃尺寸为550毫米×650毫米，月投片量为xxK，主要产品为手机使用的彩色TFT显示屏。
本项目位于某某省xx市xx工业园区内，北临xx路，南靠工业大道，用地面积为14万多m2 。本项目主要由生产主厂房、动力站、纯水站、大宗气体站、废水站、特殊药品仓库等组成。其中主厂房洁净面积共一万两千平方米，洁净级别主要为十级、百级和千级。
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〔1〕产品工作原理
液晶显示屏是透过硅玻璃上的电路形成电场，来驱动玻璃与滤光片间的液晶分子，在自然状态下呈并列平行排列，当电路对液晶层施加电场，液晶分子会朝不同的方向偏转，这时液晶类似于开关作用可以让光线通过，令液晶层形成不同的透光效果，从而达到显示不同画面的目的。
〔2〕工艺流程：
阵列工艺流程：玻璃基板投入→基板清洗→栅极金属溅射→栅极光刻→n+α-硅/α-硅/氮化硅层淀积→α-硅光刻→ITO膜溅射→ITO膜光刻→源/漏级金属溅射→源/漏级金属光刻→n+α-硅反刻→氮化硅淀积→绝缘层刻蚀→退火→检查
成盒工艺流程：投入阵列和滤光玻璃基板→配向膜印刷→框胶图敷、垫料→滴入液晶→真空贴合→盒分割→贴偏光片→检查
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〔1〕工程特点：该工程机电系统复杂，净化厂房面积为1万二千平方米，净化级别分别为十级、百级和千级，动力系统包括大宗气体、特种气体、工艺冷却水、工艺真空、化学品等项目，生产厂房主体为框架结构，屋顶采用大跨度钢屋架结构。主体结构二层，一层为设备工艺系统、一般排风和酸碱排风等，专业复杂，施工难度大。下夹层，主要由生产车间工艺下夹层和辅助用房组成，二层为工作层，主要由生产车间、办公室等管理用房组成。工程对抗微震的要求很高。
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〔2〕该工程的主要工程量：本项目的主要建筑由生产主厂房、动力站房、纯水站房、废水处理厂房、开关站与气体库房等组成。工程占地面积约14万多平方米，总建筑面积约为5万多平方米。
〔3〕本工程土建局部包括：结构、建筑和钢结构局部组成。
〔4〕机电局部包括：洁净室内装、洁净室空调系统、工艺排风系统、冷冻水系统、热水锅炉系统、工艺冷却水系统、纯水系统、废水系统、压缩空气系统、氮气系统、氧气系统、特气系统、消防喷淋和消火栓系统、低压变配电站、工艺设备配电、照明、弱电自控、火灾报警系统等。
〔5〕洁净室内装工程包括：
厂房火灾危险性为丙类，防火等级为2级，抗振烈度为7级。
生产厂房内隔墙： 〔彩色金属夹心板〕17000平米；
生产厂房吊顶： 〔彩色金属夹心板〕12000平米；
环氧地面：14000平米；
架空活动防静电地板：12000平米；
架空地板用工字钢〔规格***×**×*×**t〕：42000米；
各种风淋室：15个；
〔6〕电气工程包括：
各种电压等级变压器： 9台〔25000KVA，其中UPS：5000KVA〕；
各种配电柜： 156台；
各类灯具：7300套；
各种电气桥架：15000米；
各种电线、电缆：共543000米；
〔7〕机械工程包括：
厂房内的新风设计总风量为150000CHM，由四台〔三用一备〕新风机组集中供给；
自循环风机〔DCFU〕：108台；
高效过滤风机单元〔FFU〕：3020台；
一般排气系统设计排风量60000CHM，由四台〔三用一备〕离心式排风机；
燃油蒸汽锅炉：3台；
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水源热泵：2台；
离心式冷冻机：4台；
各种水泵：65台〔不含纯水、排风、废水、药液等非我公司X围〕；
各种管道：187600米；
镀锌铁皮：4800平米；
〔8〕钢结构工程与土建工程：
钢屋面总计：3