文档介绍：第二章
晶体三极管
三极管基本结构及电路符号
三极管典型封装形式
放大模式下晶体三极管的工作原理
内部载流子传输过程
当NPN型晶体管工作在放大模式,即发射结加正偏,集电结加反偏时:
IEn: 发射区中多子自由电子通过发射结到基区的电子电流
IEp: 基区中多子空穴通过发射结到发射区的空穴电流
ICp: 集电区中少子空穴通过集电结而形成的空穴电流
ICn1: 基区中到达集电结边界的非平衡少子电子通过集电结的电子电流
ICn2: 基区中少子电子通过集电结而形成的电子电流
集电结反向饱和电流:
两个结共同流入基极的电流:
三极管三个极的电流关系:
综上:1,成为产生上述正向受控作用的载流子,大小只受正偏发射结电压控制;其他载流子流为寄生电流。
减小寄生电流:
发射结为不对称结,发射区搀杂浓度远大于基区;
基区宽度小;
集电结面积大于发射结。
E : 发射区发射效率,表示能够转化为集电极电流的有用成分IEn在IE中占的百分比
B : 基区传输效率,1在IEn中占的百分比
共基极电流放大系数:
(1的能力)
电流传输方程
晶体三极管的三种连接方式:
共发
共基
共集
一、共基极
由ICBO很小,则
二、共发射极
: 共发射极电流放大系数
ICEO: 穿透电流,为基极开路时(IB=0)的集电极电流。
引入参数
引入参数
的物理含义
: 表示IB中受发射结电压控制的电流成分(IB+ICBO)1=(ICICBO)的控制能力,若忽略ICBO,则表示IB对IC的控制能力。
ICEO的物理含义
发射结正偏,集电结反偏,晶体管仍然工作在放大模式。基极开路时,IB=0,IB中的受控电流成分IEp+IEnICn1=ICBO,其值被放大倍,再加上集电结本身的ICBO,则
ICEO一般也很小,可以忽略不计。
三、共集电极
电流传输方程小结:
晶体三极管模型
埃伯尔斯-莫尔模型