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3、其次也了解硼扩散工艺试验过程，其基本试验原理为：扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，各种分别器件和集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散，硼扩散工艺是将肯定数量的硼杂质掺入到硅片晶体中，以变更硅片原来的电学性质。硼扩散是属于替位式扩散，采纳预扩散和再扩散两步扩散法， 第一步，预扩散硼杂质浓度分布方程为： N(x,t)=Nserfc｛x/2D1t)½｝ 表示恒定表面浓度（杂质在预扩散温度的固溶度），D1为预扩 散温度的扩散系数，x表示由表面算起的垂直距离（cm）,他为扩散时 间。此分布为余误差分布。 其次步，主扩散 硼再扩散为有限表面源扩散，杂质浓度分布方程为： N(x,t)=Qe-x2/4D2t/(πD2t)½，其中 Q 为扩散入硅片杂质总量：杂质分布为高斯分别。
4、了解了CMOS制作步骤如下：
1、双阱工艺；
2、浅槽隔离工艺；
3、多晶硅栅结构工艺；
4、轻掺杂漏（LDD）注入工艺；
5、侧墙的形成；
6、源/漏（S/D）注入工艺；
7、接触孔的形成；
8、局部互连工艺；
9、通孔1和金属塞1的形成；
10、金属1互连的形成；
11、通孔2和金属塞2的形成；
12、金属2互连的形成；
13、制作金属3直到制作压点及合金；
14、参数测试。
浅槽隔离工艺：浅槽隔离（STI）是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。可分为三个主要步骤：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化。槽刻蚀：
1、隔离氧化层；
2、氮化物淀积；
3、第三层掩膜，浅槽隔离；
4、STI槽刻蚀。
STI氧化物填充：
1、沟槽衬垫氧化硅；
2、沟槽CVD氧化物填充。 氧化物平坦化：抛光是最有效的一种平坦化技术，STI氧化层抛光—氮化物去除的基本步骤如下：
1、沟槽氧化物抛光（化学机械抛光）；
2、氮化物去除。
多晶硅栅结构工艺：晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
多晶硅栅结构制作的基本步骤：
1、栅氧化层的生长；
2、多晶硅淀积；
3、第四层掩膜，多晶硅栅；
4、多晶硅栅刻蚀。局部互连工艺:晶体管以及其他钛硅化物之间布金属连接线，所用到的方法称为局部互联（LI）。形成局部互联氧化硅介质的步骤：，局部互联刻蚀。制作局部互联金属的步骤：1金属钛淀积 （PVD工艺）；2氮化钛淀积；3钨淀积（化学气相淀积工艺平坦化）；4磨抛钨。 大马士革：先淀积一层介质薄膜，接下来是化学机械抛光，刻印，刻蚀和钨金属淀积，最终以金