文档介绍：半导体专业术语英语
半导体专业术语英语
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半导体专业术语英语
1. acｃepｔance testｉｎg （WAT: wafeｒ aｃcｅptancｅ ｔｅstiｎg)
2。 acｃeptor: 受主，如B，掺入Ｓi位面积内的缺陷数.
51。 Ｄepｌetiｏn iｍplant：.（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。)
52． Dｅpｌetｉoｎ lａyer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
５3. Depletiｏｎ ｗidtｈ：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
５4. Ｄeｐoｓｉtion:淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
5５。 Deptｈ oｆ ｆocｕs（DOF）：焦深。
５6。 ｄｅsｉgn ｏf expｅrimeｎts （DOE):为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57． deｖeloｐ：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
５8． dｅveｌoper：Ⅰ）显影设备； Ⅱ）显影液
５9。 ｄｉｂoranｅ （Ｂ2H6）：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60。 dicｈloroｍｅthane （CH2CＬ2）：二***甲，一种无色，不可燃,不可爆的液体。
61. dｉchloｒｏｓilane （ＤSＣ):二***甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色,在潮湿环境下易水解的物质,常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
6２． die:硅片中一个很小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
6３. dｉelｅctric：Ⅰ)介质，一种绝缘材料; Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能.
6４. diffｕｓed layｅr：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
6５. ｄisｉlａne (Si２H６）：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
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6６。 drive-ｉn：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry eｔcｈ：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程.
6８. efｆｅctiｖe lａyｅｒ thｉckｎｅss：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度.
６9． EM:ｅｌectroｍｉgｒatiｏn,电子迁移,指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70。 epitaxiaｌ layeｒ：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料,这一单晶半导体层即为外延层。
71． eｑｕｉpment downtiｍe:设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etｃh:腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
７3。 exposure:曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74。 fab：常指半导体生产的制造工厂.
75． feaｔｕre siｚｅ：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
7６． field－effect transｉstor（FＥT)：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端,由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. fｉlm：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质.
７8． fｌaｔ：平边
7９。 fｌatbａｎd cａpaciｔansｅ:平带电容
８0。 fｌaｔband voｌtagｅ：平带电压
8１． ｆｌow coｅfficｉｃent:流动系数
82。 fｌｏw velｏcｉty:流速计
８3。 flow vｏlｕmｅ：流量计
8４. fｌux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. foｒbidden enｅｒgｙ gap：禁带
８６。 ｆour-poｉnt proｂe:四点探针台
87． fuｎctiｏnal arｅa:功能区
8８。 ｇaｔe oxiｄe:栅氧
８９. glass transition tｅmｐeraturｅ：玻璃态转换温度
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