文档介绍：暗电流报告
太阳电池在无光照条件下相当于一个整流二极管，当给它加一个方向偏压时(p 区接负，
1 、注入电流，也就是 p 区和 n 区的扩散电流。少子寿命越长，有效扩散长度越长，暗电流
中的注入电流分量就越小。
2、复合电流，它与耗尽区宽度成正比，与耗尽区中的载流子平均寿命成反比。要减小暗电
流中的复合电流分量，就要减少耗尽区宽度，减少耗尽区中的复合中心。
3、隧道电流，由隧道效应产生的电流，主要在高掺杂的 p-n 结区附近发生。
隧道效应：n 区中的电子由于有 p-n 结势垒的阻挡层，一般不能穿过势垒，但有少数靠
近 p-n 结，原来在 n 区导带中的电子却可以通过禁带中的深能级（由重金属杂质或其它能够
作为复合中心的杂质、缺陷构成）隧穿过 p-n 结势垒与价带中的空穴复合，这过程称为隧道
效应。同样，那些靠近 p-n 结、原来在价带中的空穴也可以类似地隧穿复合。

针对我们目前的工艺环境，暗电流一般发生在以下几个工序：
一、刻蚀处导致
1、刻蚀不透

原因：
验证：

2、刻蚀宽度过宽

原因：刻蚀宽度过宽，会导致正面副栅线搭到过宽处导致漏电。产生刻蚀过宽的情况比较多
的是夹具未夹紧或是每个夹具的前一两片易产生。
验证：收集刻蚀过宽的片子 112 片，片源批次号：昱辉 080716P125-3-B