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模拟电子技术基础第三版课后答案.docx

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模拟电子技术基础第三版课后答案.docx

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模拟电子技术基础第三版课后答案.docx

文档介绍

文档介绍:****题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正 向电阻 和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正
向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理 想二极管的正向电阻 等于零,反向电阻等于无穷大。<br****题1-2假设一个二极管在 50和Ib2各等 于多少?
解:①% =一产=
1+宵
当 IBI =10」 A 时, Id =, l Ei=1mA
②‘2—2=19
1 -?2
当 Ie2 =1mA 时,Ic2 = , I b2 =50八A<br****题1-11设莫三极管在20C时的反向饱和电流Icbo=1 P A, B
=30;试估算该管在50C 的 ICBo 和穿透电流ICEo 大致等于多 少。已知
每当温度升高 10C 时,ICBO 大约增大一倍,而每当温度升高 1C 时,
B 大约增大 1% 。
解: 20 C 时, l CEO = 1- I CBO =31&quot;A
50C 时,Icbo &gt;8」A
fy fyt_t 0”50_20
「I。 1 1%-301 1%
301 30 1% =39
ICEO = 1
ICBO = 320U =<br****题1-12 一个实际PNP型错三极管的输入、输出特性曲线分别如
图P1-12(a)和(b)所示。
查看该三极管的穿透电流Iceo约为多大?输入特性的死区电
压约为多大?
为了使PNP型三极管工作在放大区,其 Ube和Ubc的值分别应 该大于零还是小于零?并与NPN型三极管进行比较。
解:①查图可知,IcEo= ,死区电压约为 ;
②为了使三极管工作在放大区,对PNP型:Ube&lt;0, ubc&gt;0;
对 NPN 型:Ube&gt;0, Ubc&lt;0。<br****题1-13测得莫电路中几个三极管各极的电位如图P1-13所
示,试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。
-10V
解:判断依据:
NPN 型:UBE&gt;0 , UBC&lt;0,放大;Ube&gt;0,UBC&gt;0,饱和;
Ube&lt;&#176; , Ubc &lt;0 ,截止。
PNP 型:uBE&lt;0 , uBC &gt;0,放大;uBE&lt;0 , UBC&lt;0,饱和; Ube&gt;&#176; , Ubc &gt;0 ,截止。
+5V +12V 0V +
d 6 0
0V +12V -6V +10V
⑻ (b) (c) (d)
放大截止放大饱和
•5V

+
+
-10
V
-1V
(g)
+12V (h)
截止
+5V

临界饱和
放大
放大<br****题1-14已知图P1-14(a)〜⑴中各三极管的B均为50, Ube?
,试分别估算各电路中的ic和uce,判断它们各自 工作在哪 个区(截止、放大或饱和 八并将各管子的ic和
UCE对应在输出特性曲线上的位置分别画在图P1-14(g)上。
Ic
Uce = V
Uce =
三极管工作在放大 区,
三极管工作在放大区, 见图P1-14(g)中3点
Ic :
Uce 二-
以上算出的IC与Uce值是荒谬的,实 质上此时三极管巳工作 在饱和区,故 怙= mA ) lc〜Vcc/ Rc=5mA ,
(d)
I B * 0
Ic 0
Uce :Vcc =10V
三极管工作在截止区,
见图P1-14(g)中D
Uce=Uces ? ,见图 P1-14(g)中 C 点。
20k?
20k?
(e)
10V
Ic 0
UCE : Vcc=10V
三极管工作在截止区, 见图P1-14(g)中E点 (与D点重合)。
200 k?
10V
(c)
1b =
Ic
UCE 八 CC =10V
三极管工作在放大区,
见图P1-14(g)中F点
Q/inAA
3
2
1
0
/b = IOOMA
SOMA
-60pA
一 40MA
—20MA
OMA
246810 Hce/V<br****题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图
P1-15所示。试识别它们的管脚,分别标上 e、b、c,并判断
2 - o
(-11V)
(-6V) (67V)
这两个三极管是NPN型还是PNP型,硅管还是错管。
(a)
解:本题的前提是两个三极管均工作在放大区。
1 ——发射极e, 3——基级b, 2——集电极c,三极管 类型 是NPN铸管。
2——发射极e, 3——基级b, 1 ——集电极c,三极管类型是
PNP硅管。
示。
孙戏道僧四口R