文档介绍：材料导报 19 9 4 . 附 6
金属有机化合物在制备半导体材料中的应用
A P P l ie a t io n o f O r g a n o m e t a l l ie C o m P o u n d s in
P r e P a r a t io n o f S e m ie o n d u e t o r M a t e r i a ls
卜
、
阎圣刚周科衍
.
(大连理工大学化工学院大连 1 1 6 0 1 2 )
摘要简单介绍了金属有机化合物的制备及其在光电薄膜、陶瓷薄膜及纳米
级丰导体材杆中的应用。
关键词金属有机化合物制备光电薄膜陶瓷陶膜纳米级半导体
A b s t r a e t T h e p r e p a r a t io n o f o r o a n o m e ta l l jc e o m 因 u n d s a n d s r s o p p一iac t io o jn th e
, ,
o P toe le e tr o n ie f i ml s e e r a m i e f i lm s a n d n a n o m e t e r s i m ie o n d u e to r m a t e r ia ls h 断 be e n b r ie f l y
i n t r od u e e d in t h i s Pa ep r
, , ,
K e y w o r d s 。 r , n o m e t a lxse e o m p o u n d s p r e p a r a ti o n o p t oe ze e t r帕 ie f *l m e e r a m ie
,
f il m n a n o m e t e r se m ie o n d u e t o r m a t e r ia ls
庵
. . 。
自 1 9 6 8 年美国 R oc k w e l l 公司的 H M 的无氧无水条件下进行合成方法基本可分
:
M an a se vi t[ 门报道用金属有机化合物( 以下简为两种@ 金属卤化合物与烷基金属( 格氏试
、、
称 M O 源) 气相沉积( M oc v D ) 制备 G a A s 以剂; 有机锉铝汞等) 交换反应; ⑥纯金属或
, 一
。
来皿 V 族化合物半导体材料制备技术提高者合金与卤代烃反应烷氧基 M O 源一般是
。( 二一
很快由 M X v o 工艺制备的 l v 族半导体用纯金属与醇反应或者金属卤化物与醇反应
,
L 〔 D -
材料已应用到光电器件( 可见红外。,
制备表 l 为常见的 M o 源它们已被用寸
L E D 、 L O P D
) 光通信( 长波长和) 及集成电。
M v D 工艺中制备半导体材料毫无疑间
。, 已班 oc
路图等目前该技术扩展到卜族半导一,
M o c v D 工艺将成为 l v 卜砚族及高效光
体、超导体、金属涂层及陶瓷材料等制备领
电太阳能电池薄膜的最有竞争力的生长技
。 v D
域 M 工艺不仅能满足制备薄膜及超,
co 术同时它们对 M