文档介绍：*
挥发分别后，称量的是待测组分本身或为其衍生物或为吸取剂，依据所称质量或增加的质量来计算待测组分的含量。
二、间接挥发法
通过加热等方法使试样中的待测组分挥发，依据挥
发前后试样的质量差来计算待测组分的含量。
例如，可将确定量的B电解质使沉淀溶解度增大的现象
3. 酸效应
溶液酸度对沉淀溶解度的影响称为酸效应。
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CaC2O4 Ca2+ + C2O42-
弱酸盐沉淀的溶解度受溶液的pH值影响很大，溶液[H＋ ]大，沉淀溶解度增大。
4. 配位效应
配位剂与构晶离子形成配位体，使沉淀的溶解度增大的现象称为～
若在含有AgCl沉淀的溶液里加入NH3 ·H O，
AgCL Ag+ + CL-
Ag+ + 2NH3 Ag(NH3)2+
若沉淀剂本身就是络合剂，试验中应当避开加入过多沉淀剂，防止沉淀溶解。
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AgCL Ag+ + CL-
AgCL + CL- AgCL2-
AgCL2- + CL- AgCL3-
三、沉淀的纯度及影响因素
影响沉淀纯度的缘由主要有两个：共沉淀和后沉淀。
1. 共沉淀
当一种沉淀从溶液中析出时，溶液中某些原来可溶的杂质也同时沉淀下来的现象。
（1）表面吸附
由于沉淀表面吸附所引起的杂质共沉淀的现象
表面吸附是有选择性的，选择吸附的规律是：
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第一吸附层：先吸附过量的构晶离子,再吸附与构晶离子大小接近、电荷相同的离子,浓度较高的离子被优先吸附
其次吸附层：优先吸附与构晶离子形成的盐溶解度小的离子。离子价数高、浓度大的离子，优先被吸附
例如，用Na2SO4沉淀Ba2+
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减小方法：制备大颗粒沉淀或晶形沉淀，适当提高溶液温度，洗涤沉淀。
（2）形成混晶
沉淀过程中杂质离子占据沉淀中某些晶格位置而进入沉淀内部形成混合晶体。
沉淀BaSO4 时，溶液中有微量的Pb 2＋，由于浓度很小，不会以PbSO4的形式沉淀。但由于Pb2＋与Ba2＋半径相近，BaSO4 与PbSO4 晶体结构相像，所以发生BaSO4 与PbSO4 混晶共沉淀。
减小方法：将杂质事先分别除去，或加入络合剂或变更沉淀剂
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（3）包藏或吸留
沉淀速度过快，表面吸附的杂质来不及离开沉淀表面就被随后沉积下来的沉淀所覆盖，包埋在沉淀内部。
减小方法：变更沉淀条件，重结晶或陈化
2. 后沉淀
溶液中某些原来可溶的杂质在沉淀放置一端时间后沉淀到原沉淀表面的现象叫后沉淀。
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减小方法：缩短沉淀与母液的共置时间，或沉淀生
成后，刚好过滤
3. 提高沉淀纯度的措施
（1）选择合理的分析步骤
（2）降低易被吸附杂质离子的浓度
（3）选择合适的沉淀剂
（4）选择合理的沉淀条件
（5）必要时进行再沉淀，
四、沉淀的类型与沉淀条件
1. 沉淀类型
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粗晶形沉淀如 MgNH4PO4
细晶形沉淀如BaSO4
晶形沉淀
沉淀类型
非晶形沉淀
粗晶形沉淀如 MgNH4PO4
粗晶形沉淀如 MgNH4PO4
胶状沉淀如 Fe(OH)3·XH2O
凝胶状沉淀如 AgCl
粗晶形沉淀如 MgNH4PO4
晶形沉淀：～1μm，排列整齐，结构紧
密，比表面积小，吸附杂质少，易于过滤、洗涤
无定形沉淀(非晶型沉淀）：～结构疏松，比表面积大，吸附杂质多，不易过滤、洗涤
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2. 沉淀的形成及其影响因素
成核作用
均相、异相
生长过程
扩散、沉积
聚集
定向排列
构晶离子
晶核
沉淀微粒
无定形沉淀
晶形沉淀
晶核：过饱和溶液中若干对构晶离子相互结合而成的离子群。
均相成核：过饱和溶液中，构晶离子通过静电作用相互缔和而形成晶核。
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异相成核：过饱和的构晶离子聚集在外来固体微粒四周形成晶核。
聚集速度＜定向速度 → 晶形沉淀
聚集速度＞定向速度 → 无定形沉淀
聚集速度与溶液的相对过饱和度成正比。
冯·威曼(Von Weimarn)阅历公式：
S:　晶核的溶解度
Q：加入沉淀剂瞬间沉淀物质的浓度
Q – S / S：相对过饱和度
K：常数，与沉淀的性质、温度、介质等有关
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定向速度主要确定于沉淀物质的本性，如极性较强的盐，定向速度较大，多为晶形沉淀。而高价金属的氢氧化物定向速度小，一般均为非晶形沉淀。
3. 沉淀条件
（1）晶形沉淀的条件