文档介绍：求扩散电容 CD 的思路
对于给定的 V1 ，求出与之相应的 I1 ，可得到 PN 结的沟通小信号导纳　　　，Y 的实部为 PN 结小信号电导 gD ， Y 的虚部中即包含了 PN 结的扩散电容求扩散电容 CD 的思路
对于给定的 V1 ，求出与之相应的 I1 ，可得到 PN 结的沟通小信号导纳　　　，Y 的实部为 PN 结小信号电导 gD ， Y 的虚部中即包含了 PN 结的扩散电容 CD ，即：
上式中，由于，可利用近似公式
得：
以 N 区中的空穴扩散电流为例，取 N 区与势垒区的边界为坐标原点，由少子边界条件可得边界处的少子浓度为
在ω 不太高的状况下，可以假设在 N 区内随意位置 x 处，pn ( x , t ) 也由直流重量和沟通小信号重量组成，即：
将此 pn ( x , t ) 代入空穴扩散方程
并将方程分拆成不含和含的两个方程，即
解第一个方程可得到 p0 ( x ) ，代入空穴电流密度方程中，可得到空穴扩散电流密度中的直流重量，即前面已求得的 Jdp
同理，电子扩散电流密度中的直流重量为，
于是可得 PN 结正向扩散电流中的直流重量为
解其次个扩散方程可得到 p1 ( x ) ，代入到空穴电流密度方程中，可得到空穴扩散电流密度的沟通重量，
同理，电子扩散电流密度的沟通重量为
于是可得 PN 结正向扩散电流中的沟通重量为
式中，
PN 结的小信号沟通导纳为
在　　的状况下，由近似公式，得：
式中，
沟通导纳与扩散电容
，就是 PN 结的扩散电容。
由上式可见，CD 与正向直流偏流成正比，即：
，为 PN 结的直流增量电导，
对于 P+N 单边突变结，可见 CD也是取决于低掺杂一侧的杂质