文档介绍：1
N沟道
P沟道
增强型
耗尽型
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
(耗尽型)
FET
场效应管
JFET
结型
MOSFET
绝缘栅型
(IGFET)
分类:
4 场效应管放大电路
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结型场效应管
结构
工作原理
输出特性
转移特性
主要参数
JFET的结构和工作原理
JFET的特性曲线及参数
JFET的优缺点
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JFET的结构和工作原理
1. 结构
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源极,用S或s表示
N型导电沟道
漏极,用D或d表示
P型区
JFET的结构和工作原理
1. 结构
# 符号中的箭头方向表示什么?
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2. 工作原理
(以N沟道JFET为例)
JFET的结构和工作原理
① VGS对沟道的控制作用
当VGS<0时
当沟道夹断时,对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。
对于N沟道的JFET,VP <0。
PN结反偏
耗尽层加厚
沟道变窄。


VGS继续减小,沟道继续变窄。
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2. 工作原理
(以N沟道JFET为例)
JFET的结构和工作原理
② VDS对沟道的控制作用
当VGS=0时,
VDS

ID 
G、D间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从上至下呈楔形分布。
当VDS增加到使VGD=VP 时,在紧靠漏极处出现预夹断。
此时VDS 
夹断区延长

沟道电阻

ID基本不变

③ VGS和VDS同时作用时
当VP <VGS<0 时,导电沟道更容易夹断,对于同样的VDS , ID的值比VGS=0时的值要小。
在预夹断处
VGD=VGS-VDS =VP
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综上分析可知
沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管。
JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制
预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。
结型场效应管
# 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?
JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因此iG0,输入电阻很高。
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结型场效应管
# JFET有正常放大作用时,沟道处于什么状态?
JFET的特性曲线及参数
2. 转移特性
VP
1. 输出特性
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①夹断电压VP (或VGS(off)):
②饱和漏极电流IDSS:
③低频跨导gm:
或
结型场效应管
3. 主要参数
漏极电流约为零时的VGS值。
VGS=0,VDS>|VP|时对应的漏极电流。
低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得,单位是mS(毫西门子)。
④输出电阻rd:
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结型场效应管
3. 主要参数
⑤直流输入电阻RGS:
对于结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107Ω。
⑧最大漏极功耗PDM
⑥最大漏源电压V(BR)DS
⑦最大栅源电压V(BR)GS
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