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文档介绍：存储器和存储系统
苗付友
******@ustc.
Dept. puter Sci. & Tech.,USTC
第五章
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主要内容
存储器概念和分类
RAM的种类
ROM的种类
RAM 结构
存储体
外围电路
地址译码方式
8086系统的存储器组织
8086CPU的存储器接口
8086CPU与存储器系统的连接

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5-1 半导体存储器分类

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(1)  双极型RAM
(2)  MOS型RAM
静态RAM
动态RAM

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1).双极型RAM
存储速度高
对于射极耦合逻辑(ECL)电路,可达到10ns,对于肖特基(Schottky)TTL逻辑电路,可到达25ns。
集成度与MOS相比较低;功耗大,成本高。
以晶体管的触发器作为基本存储电路,故所用晶体管数目多。
主要应用于速度要求较高的位片式微型机中。

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2).MOS RAM
(1)SRAM (静态RAM)
(2)DRAM (动态RAM)

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(1)SRAM (静态RAM)
,集成度介于双极型和动态RAM之间。
,故可省去刷新电路,功耗比双极型低,但比动态RAM高。
,因而不需刷新逻辑电路(RAM中一个最大的问题就是:一旦RAM掉电,其存储的信息便会丢失。这就要求当交流电源掉电时,能够自动切换到一个用电池供电的低压后备电源,以此来保持RAM中的信息)
。

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(2)DRAM (动态RAM)
(靠电容存储电荷);
,典型要求是每隔2毫秒刷新一遍;
,比SRAM的集成度高;

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(3)Non Volatile RAM
非易失性RAM或掉电自保护RAM,即NVRAM(Non Volatile RAM), 这种RAM由SRAM加E2PROM共同构成,正常运行时和SRAM一样,但是它在掉电时和电源有故障的瞬间,将SRAM的信息保存到E2PROM中,从而信息就不会丢失。

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掩膜ROM
可编程的只读存储器PROM(Programmable ROM)
可擦除的EPROM(Erasable PROM)
电可擦除的PROM
快速擦写存储器Flash Memory

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