文档介绍：肖特基接触
本篇模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想肖特基势垒二极管的行为。将从正向偏压下的模型获得的所得J-V（电流密度与施加电压）曲线与文献中发现的实验测量进行比较介绍当金属与半导体接触时，在接触处形成势垒。这主要是金属和半导体之硅。
单击窗口工具栏中的添加到组件。
5在“模型”工具栏上，单击“添加材料”以关闭“添加材料”窗口。
EMICONDUCTOR(SEMI)
将晶格温度设置为TO。
半导体材料模型1
1在“模型构建器”窗口中，展开组件1(comp1)＞半导体(半)节点，然后单击半导体材料模型1。
2在“半导体材料模型”的“设置”窗口中，找到“模型输入”部分。
3在T文本字段中，键入T0。
添加掺杂模型。保持默认值，即杂质浓度为n型IE-16cm-3分析掺杂模型1
1在“物理”工具栏上，单击“域”，然后选择“解析析掺杂模型”。2在“解析析掺杂模型”的“设置”窗口中，找到“域选择”部分。3从“选择”列表中，选择“所有域”。
4找到杂质部分。从杂质类型列表中，选择工体掺杂(n型)
(n型)。
5在“物理”工具栏上，单击“边界”并选择“金属接触”。
添加理想的肖特基接触。将金属功函数设为phim，施加电压为Va。金属接触1
仅选择边界5。
在“MetalContact”的“设置”窗口中，找到“ContactType”部分。
从“类型”列表中，选择“理想肖特基”。
4找到终端部分。在V0文本字段中，键入Va。
5找到“接触属性”部分。在①文本字段中，键入phim。
在物理工具栏上，单击边界并选择金属接触。
将硅晶片的欧姆面上的电位设置为V=0V
金属接触2
单击图形工具栏上的缩放范围按钮。
单击图形工具栏上的缩放框按钮。
单击图形工具栏上的缩放框按钮。
仅选择边界2。
单击图形工具栏上的缩放范围按钮。
映射1
1在“模型构建器”窗口中，在组件1(compl)下,右键单击“网格1”，然后选择“映射”。2在“映射”的“设置”窗口中，找到“域选择”部分。
从“几何”实体级别列表中，选择“整体几何”。
4右键单击组件1(C0MP1)＞筛网1＞映射1,选择分配。沿着顶部矩形的厚度添加细网格,耗尽区域将发生分布。
分布1
仅选择边界3和7。
2在“分布”的“设置”窗口中，找到“分布”部分。
从“分布属性”列表中，选择“预定义分布”类型。
在元素数字文本字段中，键入50。
在“元素比例”文本字段中，键入10。
选择反向复选框。
分布2
1右键单击映射1并选择“分布”。
仅选择边界1和6。
3在“分布”的“设置”窗口中，找到“分布”部分。
从“分布属性”列表中，选择“预定义分布类型”。
在“元素数量”文本字段中，键入200。
在元素比例文本字段中，键入10。
选择“对称分布”复选框。
单击图形工具栏上的缩放范围按钮。
分布3
1右键单击映射1并选择“分布”。
仅选择边界5。
3在“分布”的“设置”窗口中，找到“分布”部分。
在元素数字文本字段中，键入50。
在“模型构建器”窗口中，右键单击“网格1”，然后选择“全部构建”。
STUDY1步骤1：稳态
为'Va'参数设置辅助延续扫描
1在“模型构建器”窗口中，展开“研究1”节点，然后单击“步骤1：稳态