X射线光电子能谱分析.docx

文档介绍：X 射线光电子能谱分析（X-ray photoelectron spectroscopy analysis） 1887 年，Heinrich Rudolf Hertz发现了光电效应。二十年后的1907年，. Innes用伦琴管、亥姆霍的氧化和腐蚀、半导体、电极钝化、 薄膜材料等方面都有应用。
(4 )化合物结构签定
X射线光电子能谱法对于内壳层电子结合能化学位移的精确测量，能提供化学键和电荷分 布方面的信息。
下面重点介绍一下X射线在表面分析中的原理及应用
X射线光电子能谱法(X-ray Photoelectron Spectrom——XPS)在表面分析领域中是一种崭 新的方法。虽然用X射线照射固体材料并测量由此引起的电子动能的分布早在本世纪初就有报道，但 当时可达到的分辩率还不足以观测到光电子能谱上的实际光峰。直到1958年，以Siegbahn为首的 一个瑞典研究小组首次观测到光峰现象，并发现此方法可以用来研究元素的种类及其化学状态，故而 取名“化学分析光电子能谱(Eletron Spectroscopy for Chemical Analysis-ESCA)。目前 XPS 和 ESCA已公认为是同义词而不再加以区别。
XPS的主要特点是它能在不太高的真空度下进行表面分析研究，这是其它方法都做不到的。 当用电子束激发时，如用AES法，必须使用超高真空，以防止样品上形成碳的沉积物而掩盖被测表 面。X射线比较柔和的特性使我们有可能在中等真空程度下对表面观察若干小时而不会影响测试结 果。此外，化学位移效应也是XPS法不同于其它方法的另一特点，即采用直观的化学认识即可解释 XPS中的化学位移，相比之下，在AES中解释起来就困难的多。
1基本原理
用X射线照射固体时，由于光电效应，原子的某一能级的电子被击出物体之外，此电子称 为光电子。如果X射线光子的能量为hv，电子在该能级上的结合能为Eb，射出固体后的动能为Ec， 则它们之间的关系为：hv =Eb+Ec+Ws式中Ws为功函数，它表示固体中的束缚电子除克服各别原 子核对它的吸引外，还必须克服整个晶体对它的吸引才能逸出样品表面，即电子逸出表面所做的功。 上式可另表示为：Eb = hv -Ec-Ws可见，当入射X射线能量一定后，若测出功函数和电子的动能， 即可求出电子的结合能。由于只有表面处的光电子才能从固体中逸出，因而测得的电子结合能必然反 应了表面化学成份的情况。这正是光电子能谱仪的基本测试原理。
2仪器组成
XPS是精确测量物质受X射线激发产生光电子能量分布的仪器。具有真空系统、离子枪、 进样系统、能量分析器以及探测器等部件。XPS中的射线源通常采用AlKa ( )和MgK a ()，它们具有强度高，自然宽度小(分别为830meV和680meV)。CrKa和CuKa 辐射虽然能量更高，但由于其自然宽度大于2eV，不能用于高分辩率的观测。为了获得更高的观测精 度，还使用了晶体单色器(利用其对固定波长的色散效果)，但这将使X射线的强度由此降低。
由X射线从样品中激发出的光电子，经电子能量分析器，按电子的能量展谱，再进入电子 探测器，最后用XY记录仪记录光电子能谱。在光电子能谱仪上测得的是电子的动能，为了求得电子 在原子内的结合能，还必须知道功函数Ws。