文档介绍：模拟电路--半导体基础知识
适用于教师试讲、学校演讲、教学课件、说课大赛
2. P型半导体
硼（B）
多数载流子
P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，
在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目二极管的模型有什么不同？
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五、稳压二极管
1. 伏安特性
进入稳压区的最小电流
不至于损坏的最大电流
由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。
2. 主要参数
稳定电压UZ、稳定电流IZ
最大功耗PZM＝ IZM UZ
动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ
若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！
限流电阻
斜率？
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§ 晶体三极管
一、晶体管的结构和符号
二、晶体管的放大原理
三、晶体管的共射输入特性和输出特性
四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
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一、晶体管的结构和符号
多子浓度高
多子浓度很低，且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
小功率管
中功率管
大功率管
为什么有孔？
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二、晶体管的放大原理
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
少数载流子的运动
因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区
因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合
因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区
基区空穴的扩散
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电流分配： IE＝IB＋IC
IE－扩散运动形成的电流
IB－复合运动形成的电流
IC－漂移运动形成的电流
穿透电流
集电结反向电流
直流电流放大系数
交流电流放大系数
为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？
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三、晶体管的共射输入特性和输出特性
为什么UCE增大曲线右移？
对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
为什么像PN结的伏安特性？
为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？
1. 输入特性
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2. 输出特性
β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ?
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。
为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？
饱和区
放大区
截止区
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晶体管的三个工作区域
晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。
状态
uBE
iC
uCE
截止
＜Uon
ICEO
VCC
放大
≥ Uon
βiB
≥ uBE
饱和
≥ Uon
＜βiB
≤ uBE
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四、温度对晶体管特性的影响
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五、主要参数
直流参数： 、 、ICBO、 ICEO
c-e间击穿电压
最大集电极电流
最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE=Constant
安全工作区
交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）
极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO
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讨论一
由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。
uCE=1V时的iC就是ICM
U（BR）CEO
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清华大学 华成英 ******@
讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性
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利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。
讨论三
以V2作为输入、以节点1作为输出，采用直流扫描的方法可得！
约大于1V时饱和
描述输出电压与输出电压之间函数关系的曲线，称为电压传输特性。
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§ 场效应管（以N沟道为例）
场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
1. 结型场效应管
符号
结构示意图
栅极
漏极
源极
导电沟道
单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作
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栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
沟道最宽
沟道变窄
沟道消失称为夹断
uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？
UGS（off）