文档介绍：C2 光电探测器件
理学院宋旸
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2 光电探测器件
光电探测器的物理效应
光电探测器的性能参数
外光电效应型光电探测器
内光电效应型光电探测器
固体成像器件
光电探测光源
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内光电效应型探测器
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2 光电探测器件
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内光电效应型光电探测器
光电导型光探测器光敏电阻
pn结光伏探测器
光电池
光电二极管与光电三极管
特殊结型光电二极管
恒流源型探测器的偏置和设计
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光电二极管与光电三极管
与光电池的主要区别为:
③光电二极管结面积远小于光电池,具有更好的频率特性
②工作电流小,仅为微安级
④工作状态不同,前者为零偏置电压状态,以获得光电流,后者则处于反偏置电压。
①光电二极管
①光电池的衬底材料掺杂浓度高于光电二极管,光电二极管的电阻率高于光电池
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光电二极管与光电三极管
①光电二极管
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光电二极管与光电三极管
①光电二极管
国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同,分为2CU和2DU两种系列。
2CU系列以N-Si为衬底,只有两个引出线
2DU系列以P-Si为衬底,有三条引出线,前极、后极与环极。
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光电二极管与光电三极管
①光电二极管
光电二极管的用法
若加正向电压,正接后与普通二极管一样,只有单向导电性,而表现不出它的光电效应。
加反向电压
2DU环极接法
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光电二极管与光电三极管
①光电二极管
加反向电压时的伏安特性曲线
与硅光电池的伏安特性曲线图比较
①为分析方便,将I,III象限对调
②开路电压UOC一般都比外加的反向电压小很多,二者比较可略而不计,所以实用曲线常画为上图(b)的形式
光电二极管与光电三极管
①光电二极管
低偏压时:光电流变化非常敏感,这是由于反偏压增加使耗尽层加宽,结电场增强,所以对结区的光的吸收率及光生载流子的收集效率加大;
高偏压时:收集已达极限,光电流趋于饱和,曲线近似平直,且低照度部分比较均匀,可用作线性测量。
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