文档介绍：半导体器件的制作方法
专利名称：：半导体器件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及包含非易失性存储装置的半导体器件技术。
背景技术：
：近年来，由多个NAND型闪速存储器和控制器构成的SSD(SolidStateDrive:固态硬盘节)时，需要擦除64倍的数据尺寸(135168字节)，数据擦除方法非常低效。这样，已经判明利用了NAND型闪速存储器的SSD的耐用期限的改善较困难。并且，已经判明在写入一页的数据(2112字节)时，在擦除一个决的数据(135168字节)之前需读出该一个块的数据，写入性能劣化。[对电阻变化型非易失性存储器的控制方法的研究]人们开发了相变存储器(PhaseChangeMemory)>ReRAM(ResistiveRAM)等存储器作为电阻变化型存储器。这些存储器的写入次数具有上限值，该上限值确定电阻变化型存储器的寿命。因此，已经判明若向特定的存储单元集中写入，则其寿命变短。另外，电阻变化型存储器能重写数据，其最小单位小至一字节。也就是说，已经判明能够只改写与所需数据尺寸相当的量。解决问题的手段因此，本发明人提供一种半导体器件，其具有包含可重写的多个存储单元的非易失性存储装置、以及控制向该非易失性存储装置的存取的控制电路装置，控制电路装置具有以下功能。即，提供具有以下功能的装置作为控制电路装置:与从外部提供的第一地址独立地设定对非易失性存储装置的第二地址的分配，以使得用于从外部提供的第一写入数据的写入的存储单元的物理配置变为至少相对于一个方向每隔N(N为自然数)个配置。发明的效果根据本发明，第一写入数据的写入所使用的存储单元能形成为至少相对于一个方向在物理上不相邻。即，能与第一地址独立地提供第二地址，该第二地址能减小在数据写入时产生的焦耳热给存储单元造成的热历史的影响的。由此，能提供一种高可靠性、长寿命的半导体器件。通过以下的实施方式说明，上述以外的问题、构成和效果将会变得明确。图1是表示在使用了相变材料的电阻元件的相变所需的脉冲宽度和温度的关系的图。图2是表示信息处理系统装置的实施方式例的图。图3是表示本发明的控制电路的电路构成的一例的图。图4是表示本发明的控制电路的电路构成的一例的图。图5是表示本发明的非易失性存储装置的电路构成的一例的图。图6是表示向非易失性存储装置的写入工作的图。图7是表示从非易失性存储装置的读出工作的一例的图。图8是表示对信息处理系统装置接通电源时执行的初始顺序的一例的图。图9是表示本发明的物理表的一例的图。图10是表示本发明的物理段表(segmenttable)的一例的图。图11是表示本发明的写入物理地址表的一例的图。图12是表示本发明的地址转换表和非易失性存储装置的初始设定值的一例的图。图13是表示本发明的SSD配置信息的一例的图。图14是表示向本发明的非易失性存储装置写入数据的构成例的图。图15是表示本发明的地址图范围的一例的图。图16是表示非易失性存储装置的存储单元阵列的能写入存储单元的配置例的图。图17是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的能写入存储单元的数据写入例的图。图18是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的能写入存储单元的数据写入例的图。图19是表示存储器模块所进行的数据的写入工作的一例的图。图20是表示写入物理地址表的更新方法的一例的图。图21是表示确定物理地址时的计算方法的一例的图。图22是表示地址转换表和非易失性存储装置的数据更新方法的一例的图。图23是表示地址转换表和非易失性存储装置的数据更新方法的一例的图。图24是表示本发明的物理地址之间的数据移动工作的一例的图。图25是表示本发明的管线式(pipeline)写入工作的一例的图。图26是表示本发明的存储器模块的数据读出工作的一例的图。图27是表示根据写入方法选择信息选择的写入方法的一例的图。图28是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的数据写入例的图。图29是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的数据写入例的图。图30是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的数据写入例的图。图31是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的数据写入例的图。图32是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的数据写入例的图。图33是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的数据写入例的图。图34是表示确定物理地址时的计算方法的一例的图。图35是表示向非易失性存储装置的存储单元阵列的数据写入例的图。标号说明CPU_CHIP信息处理装置NVMSTR0存储模块NVMlONVM17、RAM、NVMl7,NVMO存储器装置STRCTO、STRCTOI控制电路H0ST_IF接口电路RSTSIG复位信号REFCLK参考时钟BUFOBUF3缓存区装置ARB仲裁电路MANAGER信息处理电路RAMC,NVCTONVCT7存储器控制装置NXPTB