文档介绍：一种稳定的低压降稳压器的制造方法
一种稳定的低压降稳压器的制造方法
一种稳定的低压降稳压器，其中所述串联导通晶体管的高阻抗电极（集电极/漏极）连接到其输出端子，一个分流晶体管的低阻抗电极（发射极/源极）连接到其输出端子。该电路配置确保分合，并耦合到一个具有输入偏移电压的第二运算放大器上。这第二运算放大
器的输出端被耦合到传输晶体管的控制电极(基极/栅极)。因此，稳压器包括一个高增益的反馈回路，它具有参考发生器的放大器，分流晶体管，两个运算放大器和传输晶体管。由于和分流晶体管串联的电阻被耦合到第二运算放大器的输入端，它两端的电压必须等于第二运算放大器的偏移电压。因此，在整体反馈回路中的一个反馈回路在运行。这种次级反馈回路，确保分流晶体管始终打开，且其低阻抗电极(发射极/源极)将运作来稳定稳压器。由于传输晶体管只涉及单个晶体管，所以漏失电压被减至最小。
[0012]对比专利文献:CN200993746Y低压降稳压器，CN201936213U 。
[0013]【专利附图】
【附图说明】:
[0014]图1是本发明的电路的原理方框图。
[0015]图2是本发明的电路的详细原理图。
[0016]【具体实施方式】:
[0017]应当理解的是，当下面的描述中被定向到一个CMOS结构时，本发明也适用于双极型晶体管电路。例如，在所示的P沟道晶体管中，一个PNP双极型晶体管可以被取代，在所示的N沟道晶体管中，一个NPN型双极型晶体管可以被取代。凡这样做时，双极型晶体管的集电极替代MOS晶体管的漏极，发射极替代源极，以及基极替代栅极。传统的CMOS制造是为了优选实施例。对于同样的双极性建设，传统的单片式，外延，PN结隔离处理是首选。此夕卜，虽然所示的CMOS电路和N阱CMOS有关，但是各种组件可以被制造为P阱器件。在这后一种情况下，所有示出的晶体管元件可以被补充，电源的极性可以逆转。
[0018]在图1中，基本要素以原理方框图的形式列出。电源输入端正极接端子10，负极连接到接地端11。稳压输出出现在端子12。串联导通的P沟道晶体管13连接在端子10和12之间。由于晶体管13的源极被连接到端子10，它的栅极将工作在一个较低的电位，稳压器漏失电位将被最小化。在所示的电路中，漏失电位可以是一个电压的一小部分那么小。然而，晶体管13的漏极连接到输出端子12，就它本身而言，这样的配置是不稳定的。因此，需要某种形式的稳定。分流P沟道晶体管14的源极连接到输出端子12，并且其漏极返回到地面。由于晶体管14的源极是低阻抗的电极，它将稳定该电路。晶体管13和14显然可以换成双极型PNP晶体管，其被连接的发射极代替源极，连接的集电极代替漏极。
[0019]参考电压发生器15研发了一个温度稳定的带隙参考电压，包含一个电压分压器，响应一个在端子12上的稳定的电压。参考电压发生器15驱动运算放大器16，进而驱动晶体管14的栅极。电阻器17将晶体管14的漏极返回到地面，使晶体管14可以作为一个共源极放大器。通过一个内部开发的偏移电压源19，运算放大器18被直接耦合到电阻器17上。偏移量的极性是这样的，当运算放大器18的输入端在相同的电位，偏移电压作为晶体管14的漏极的一个小的