文档介绍：第一章
半导体二极管和三极管
电子技术
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第一页，共一百一十六页。
第四节稳压管
第五节半导体三极管
第三节半导体二极管
第二节 PN结
第一节半导体的导电特性
第一章半导体二极管和三极管
第二页入3价元素
杂质半导体——在本征半导体中掺入适量的杂质元素(非半导体元素)。
5价元素——磷、***等。
3价元素——硼、镓、銦等。
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第十五页，共一百一十六页。
第一节半导体的导电特性
N型半导体
4
4
4
4
4
5
+5
多一个价电子
掺杂
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第十六页，共一百一十六页。
第一节半导体的导电特性
N型半导体
4
4
4
4
4
5
多子-------电子
少子-------空穴
+5
掺杂
本征激发
4
N型半导体示意图
电子
正离子
*
第十七页，共一百一十六页。
第一节半导体的导电特性
P型半导体
4
4
4
4
4
3
多一个空穴
+3
掺杂
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第十八页，共一百一十六页。
第一节半导体的导电特性
多子-------空穴
少子-------电子
P型半导体
4
4
4
4
4
3
+3
P型半导体示意图
负离子
空穴
掺杂
本征激发
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第十九页，共一百一十六页。
第二节 PN结
一、PN结的形成
二、PN结的单向导电性
第二十页，共一百一十六页。
第二节 PN结
1
链接动画片
观看多媒体动画教学片《半导体器件》之一
半导体基础知识
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第二十一页，共一百一十六页。
第二节 PN结
N区
P区
负离子
空穴
正离子
电子
正负电荷中和，不带电
一、PN结的形成
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第二十二页，共一百一十六页。
第二节 PN结
空间电荷区（耗尽层）
内电场
P区
N区
扩散运动——浓度差造成运动。
复合——自由电子填补空穴，两者同时消失的现象。
漂移运动——载流子在电场力作用下的运动。
多子扩散运动
少子漂移运动
暴露了失去电子的正离子
暴露了失去空穴的负离子
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第二十三页，共一百一十六页。
第二节 PN结
空间电荷区（耗尽层）
内电场
P区
N区
浓度差→多子扩散运动→复合→产生内电场→阻碍
多子扩散→有利少子漂移运动→扩散运动和漂移运
动达到动态平衡→形成一定宽度PN结
多子扩散运动
少子漂移运动
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第二十四页，共一百一十六页。
P N结
P
N
PN结: P区和N区交界面处形成的区域
空间电荷区: 区内只剩离子,带电
耗尽层: 区内载流子少
名称
内电场
第二节 PN结
电位差约为零点几伏
宽度为几微米~到几十微米
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第二十五页，共一百一十六页。
（一）外加正向电压——导通
二、