文档介绍：------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————南信大模拟电路期末试题复****题二注意: 1 、先把书上知识点和做过的作业理解会做,然后再复****这部分内容。 2 、期中考试前发的样卷里有很多第十章直流稳压电源相关的题目。 1、放大电路中的静态分量是指__________ , 动态分量是指____ 。 A 、直流电源所提供的电压、电流, B 、电压、电流中不随输入信号变化的部分, C 、电压、电流中随输入信号变化的部分, D 、正弦交流输入、输出信号 2、 NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于____ A 、半导体材料硅和锗的不同, B 、掺杂元素的不同, C 、掺杂浓度的不同, D、P 区和 N 区的位置不同。 N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于____ A 、衬底材料前者为硅,后者为锗, B 、衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型, C 、导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴。 3 、晶体管工作在放大区时,发射结为____ ,流过发射结的主要是____ ;集电结为____ ,流过集电结的主要是____ 。 A、正向偏置,B、反向偏置,C、零偏置,D、扩散电流, ------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— E 、漂移电流 4 、某硅二极管在正向电压 UD? 时,正向电流 ID?10mA 。当 UD 增加 10 %(即增大到 )时,则 ID 约为____ 。 A、 10mA ,B、 11mA ,C、 20mA ,D、 100mA 5 、已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图中实线所示, 在温度为 T1 时的伏安特性如图中虚线所示。 25℃时, 该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大? 2 .温度 T1 是大于 25℃还是小于 25℃? 6、两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路 A和B, 对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大, 并接有相同大小的负载电阻, 测得 A 的输出电压比 B 的大。这说明 A的________________ 。输出电阻比 B的________________ 。 A 、输入电阻, B 、输出电阻 C 、大, D 、小 7 、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路 A和 B ,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路的条件下测得 A 的输出电压比 B 的小,这说明 A的________________ 。输出电阻比 B的________________ 。 A 、输入电阻, B 、输出电阻 C 、大, D 、小 8 、某硅晶体管输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————交流负载线、静态工作点 Q 如图所示。设晶体管的 UBE = , UCES = 。 1 .确定 Rc 的数值,画出直流负载线(要标出关键点的数值); 2 .确定 VCC 和 Rb 的值; 3 .在这种情况下,最大不失真输出电压幅值是多少? 4 .为了获得更大的不失真输出电压, Rb 应增大还是减小? 54 RL?32 1 0?A 9 、放大电路和所使用的晶体管输出特性曲线如图所示,晶体管的 UBEQ = ,电容的容量足够大。 1 .估算电路静态时的 IBQ ; 2 .图解确定电路静态时 ICQ 和 UCEQ ; 3 .图解确定此时的最大不失真输出电压幅值 Uom ; 4. 为获得尽可能大的不失真输出电压, Rb 应调整到多大? (设饱和电压 UCES = )。 RL2k?654321 10 、已知图示电路中晶体管的β= 150 , rbb??300? , UBEQ = , 电容的容量足够大, 对交流信号可视为短路。------------------------------------------------------------------------------------------------