文档介绍：2007 半导体期末考试试卷( 考试形式: 考试日期年注:1、本试卷满分 70分, 平时成绩满分 15分, 实验成绩满分 15分; 2. 、本课程总成绩= 试卷分数+ 平时成绩+ 实验成绩。课程成绩构成:平时分, 期中分, 实验分, 期末分一、选择填空(含多选题)(2× 20=40 分) 1 、锗的晶格结构和能带结构分别是( C)。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 2 、简并半导体是指( A )的半导体。 A、(EC-EF) 或(EF-EV) ≤0B、(EC-EF) 或(EF-EV) ≥0C 、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D 、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为 1014cm-3, 磷为 1015 cm-3 , 则该半导体为( B )半导体;其有效杂质浓度约为( E)。 A. 本征, 型, 型, D. × 1015cm-3, × 1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为(B) ,并且该乘积和( E、F )有关,而与( C、D )无关。 A 、变化量; B 、常数; C 、杂质浓度; D 、杂质类型; E 、禁带宽度; F 、温度 5 、在一定温度下,对一非简并 n 型半导体材料,减少掺杂浓度,会使得(C) 靠近中间能级 Ei; 如果增加掺杂浓度, 有可能使得(C) 进入( A) ,实现重掺杂成为简并半导体。 A、 Ec;B、 Ev;C、 EF;D、 Eg;E、 Ei。 67、如果温度升高, 半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是( C)。 A 、变大,变大 B 、变小,变小 C 、变小,变大 D 、变大,变小 8 、最有效的复合中心能级的位置在( D )附近,最有利于陷阱作用的能级位置位于( C )附近,并且常见的是( E )陷阱。 A、 EA ;B、 EB;C、 EF;D、 Ei;E 、少子; F 、多子。 9 、一块半导体寿命τ=15 μs ,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止 30μs 后,其中非平衡载流子将衰减到原来的( C)。 A、 1/4 B、 1/e C、 1/e2 D、 1/2 10 、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的( A)。 A 、散射机构; B 、复合机构; C 、杂质浓度梯度; C 、表面复合速度。 11、下图是金属和 n 型半导体接触能带图, 图中半导体靠近金属的表面形成了( D)。 A、n 型阻挡层 B、p 型阻挡层 C、p 型反阻挡层 D、n型反阻挡层 12 、欧姆接触是指( D )的金属-半导体接触。 A、 Wms=0 B、 Wms <0 C、 Wms >0D 、阻值较小并且有对称而线性的伏-安特性 13、 MOS 器件中 SiO2 层中的固定表面电荷主要是(B), 它能引起半导体表面层中的能带( C )弯曲, 要恢复平带,必须在金属与半导体间加( F)。 A .钠离子; B 硅离子.; C. 向下; D. 向上; E. 正电压; F. 负电压二、证明题:(8 分) 由金属- SiO2 -P 型硅组成的 MOS 结构, 当外加的电压使得半导体表面载流子浓度 ns 与内部多数载流子浓度 Pp0 相等时作