文档介绍：一、填空(每题3分)
1、在MIS结构的金属和n型半导体之间加偏压时,半导体表面处于多子积累状态;表面处于耗尽状态时,应施加偏压;表面进入强反型状态的条件是。
2、在硅-二氧化硅系统中,存在着多种形式的电荷或能量状态,一般可归纳为: 、、、四种基本类型。
3、半导体异质结按照从一种材料过渡到另一种材料的变化情况可分为异质结和异质结,到目前为止人们对
异质结还了解甚少。
4、对于一个突变反型pN异质结,其= ;
= ;= ;
5、已知GaAs的禁带宽度在300K时,Eg=,则其本征吸收的长波限为。
6、在半导体中,除了本征吸收外,还存在着吸收、吸收、吸收等。
7、间接跃迁是指跃迁,跃迁前后电子波矢量遵守的规律是。
8、某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为正,则该半导体是型半导体。
9、半导体中的热电效应主要有: 、、和。
10、非晶态半导体的结构特点是:长程,短程。
二、名词解释(每题6分)
1、表面势、费米势
2、同型异质结、反型异质结
3、带间吸收、激子吸收
4、辐射复合、非辐射复合
5、温差电动势、珀耳帖效应
三、分析、回答问题
1、比较异质结和同质结的不同,根据异质结的结构特征,说明异质结晶体管性能的优势。(10分)
2、什么是激子?解释激子吸收,普通半导体中的激子和量子阱的激子有什么区别?(10分)
3、说明热探针测定半导体材料导电类型的原理,你认为这种方法对高阻和低阻材料的可靠性如何?为什么?(20分)