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电力电子技术复习题.doc

文档介绍

文档介绍:电力电子技术复习题1
第1章电力电子器件

,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。
,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。
,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、_双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
,承受反相电压截止_。
、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。。
、反向电压则截止__ 。
,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
,UDSM_大于__Ubo。
(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。
,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是
_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
第2章整流电路
,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正

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