文档介绍：集美大学试卷纸
2013 — 2014 学年第一学期
课程名称
模拟电子线路
试卷
卷别
A
适用
学院、专业、年级
信息学院通信、电子、电科12级
考试
方式
闭卷□√
开卷□
备注
考试时间120分钟
总分
题号
一
二
三
四
五
六
七
八
九
得分
阅卷人
得
分
一、填空题(共10分,每空1分)。
1. 保证三极管工作在放大状态,BE结______偏,BC结_____偏。
2. 温度上升______________(加剧、减弱)载流子运动。
3. JFET管要处于饱和工作区域,PN结______偏。
4. fT称为晶体管的____________频率;它表示下降到_______所对应的频率。
,则该放大器的中频增益是___________,上限截止频率是____________。
6. 放大电路当中引入电流并联负反馈,_______输入阻抗,______输出阻抗。
得
分
二、单项选择题(共10 分,每小题 2 分, 在每小题给出的选项中只有一个符合题目要求,把所选项前的字母填入题前的表格内)。
1
2
3
4
5
。
A、正向导通区 B、反向截止区 C、反向击穿区
2. 在单级共栅放大电路中,若输入电压为正弦波形,则vo和vi的
相位_________。
A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定
(β1=β2远大于2),Io输出电流为_________。
B. C. 10mA D.
4. 多级放大电路的上限截止频率取决于_________。
A. 第一级放大电路 B.  最后级放大电路
C. 最低上限截止频率放大电路 D. 最高上限截止频率放大电路
5. 一个放大电路的中频增益为60dB。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为_________

得
分
三、计算题(共12 分)
图示电路中,已知N沟道DMOS管开启电压VGS(th) = -2 V,,mnCOXW / (2l) = mA / V2。(1)估算IDQ;(2)画交流等效电路。(3)求Ri、Ro、Av。
得
分
四、计算题(共8 分)
以下电路是CMOS共源放大电路,mnCOXW2 / (2l2) = mA / V2,IDQ=,λ1=10-6s,λ1=10-6s,画出交流等效电路,求放大器的增益。

得
分
五、计算题(共12 分)。
电路如图,已知VDD=12V,Vss=-12V,RD=4KΩ,VGS(th) = 2 V,
mnCOXW / (2l) = mA / V2,Iss=4mA,RL=12KΩ。
(1)求静态工作点;(2)求单端输出差分增益,输出阻抗,
(3)假设恒流源输出阻抗为1MΩ,求单端输出的共模增益,共模抑制比。

得
分
六、计算题(共8分)
某放大电路图如下图所示,其中R1=R2=R3=R4=R5=R6=10KΩ。
(1