文档介绍：友达光电(昆山)有限公司第一阶段建设项目环保“三同时”执行情况报告
说明
友达光电(昆山)-LCD项目变更为第6代LTPS TFT-LCD项目环境影响报告书涵括总产能60K,公司分三阶段建设完成,(已完成)、(建设中),总产能达25K、第三阶段35k,总产能达60K。。
一、建设项目概况
(一)建设项目名称、行业类别、生产规模、建设地点、投资总额、开工日期、建成日期、占地面积、职工人数、工作制度。
项目名称:第6代LTPS TFT-LCD生产线项目
行业类别:工贸企业
生产规模: 年产15万片
建设地点:昆山经济技术开发区龙腾路6号
项目总投资:
开工日期:2015年8月
建成日期:2016年11月
占地面积:890304m2
总建筑面积:898512㎡
职工人数:1500人
工作制度:车间内作业人员主要采用五班二运转的管理制度,每班工作12小时,年工作天数360天,年工作小时数8640小时。
(二)建设项目主体工程及产品方案、公用及辅助工程详细情况。
第6代LTPS TFT-LCD生产线项目主体工程包括:阵列工程(铝制程)、彩膜工程、成盒工程、薄化工程、触控工程、模块工程。
阵列生产车间负责阵列基板的生产,包括玻璃基板清洗、CVD、镭射结晶、离子植入,溅射、光刻、刻蚀、剥离等工序。阵列工程使用外购的专用玻璃基板,充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积(CVD)的方法形成半导体膜或隔离膜,非晶硅半导体膜再经镭射结晶形成多晶硅,通过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤岛、源漏电极及引线、接触过孔、像素电极、经光刻胶涂敷、光刻胶曝光、显影等光刻工艺并经湿法/干法刻蚀后,剥离掉多余的光刻胶,并利用离子植入定义N、P型半导体,以形成源极、栅极以及特性调整,再经热处理把半导体特性作均一化处理后即做成阵列玻璃基板。
-1
玻璃基板
清洗液
DI纯水
清洗
栅电极溅射沉积
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
1次掩膜光刻
干法刻蚀
剥离液
DI纯水
光刻胶剥离
HCl,H2,Ne,BF3,HF
ELA雷射結晶
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
2次掩膜光刻
干法刻蚀
SF6, Cl2, O2
剥离液
DI纯水
光刻胶剥离
钝化层淀积
Mo/Al靶材
Ar
栅电极溅射沉积
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
3次掩膜光刻
干法刻蚀
H2、PH3
离子植入
Mo/Al靶材
Ar
SF6, Cl2, O2,CF4
SiH4, NF3, NH3
N2O, N2, Ar
有源层PECVD淀积
SiOx / SiNx / a-Si
N2O, SiH4, NH3
SF6, Cl2
Ar, O2
-1-1 阵列工程工艺流程图
接上页
剥离液
DI纯水
光刻胶剥离
N2, H2, SiH4, NH3
N2O
钝化层淀积
PVX SiNx
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
4次掩膜光刻
SF6 ,CF4, O2, CHF3
干法刻蚀
剥离液
DI纯水
光刻胶剥离
Ti/Al靶材
Ar
源/集电极溅射沉积
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
5次掩膜光刻
O2, Cl2, CF4
BCl3
干法刻蚀
剥离液
DI纯水
光刻胶剥离
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
6次掩膜光刻
干法刻蚀
O2, CF4, N2
-1-2 阵列工程工艺流程图
接上页
ITO靶材, Ar
N2, H2, SiH4, NH3
ITO像素溅射沉积
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
ITO刻蚀液
DI纯水
湿法刻蚀
剥离液
DI纯水
光刻胶剥离
退火
钝化层淀积
PVX SiNx
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
8次掩膜光刻
SF6, CF4, O2
干法刻蚀
剥离液
DI纯水
光刻胶剥离
ITO靶材, Ar
光刻胶
稀释剂,显影液
DI纯水
9次掩膜光刻
ITO刻蚀液
DI纯水
湿法刻蚀
剥离液
DI纯水
光刻胶剥离
退火
阵列玻璃终检
ITO像素溅射沉积
PVX SiNx
7次掩膜光刻
-1-3 阵列工程工艺流程图
彩色滤光片(Color Filter)是LCD中最重要的关键性零部件之一,其品质好坏对于LCD色彩的表现至为重要。