文档介绍：半导体制造工艺流程
N型硅：掺入丫族元素一磷P、砷As、锑Sb
P型硅：掺入III族元素一镓Ga、硼B
PN结：
半导体元件制造过程可分为
前段（FrontEnd）制程
晶圆处理制程（WaferFabrication；简称 Wa长Si3N4
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
4。光II---有源区光刻
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
5。光III---N管场区光刻，N管场区注入，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
6。光III---N管场区光刻，刻出N管场区注入孔；N管场区注入。
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
7。光IV---p管场区光刻，p管场区注入，调节PMOS管的开启电压，生长多晶硅。
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
8。光V---多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
9。光VI---P+区光刻，P+区注入。形成PMOS管的源、漏区及P+保护环。
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
10。光VH-—N管场区光刻，N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环。
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
11。长PSG （磷硅玻璃）。
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
12。光刻VIII---引线孔光刻。
CMOS集成电路工艺一以P阱硅栅CMOS为例
13。光亥11区---弓|线孔光亥IJ （反亥IJAL）。
晶圜材料（Wafer）
圜晶是制作矽半醇醴IC所用之矽晶片，状似圜形，故耦晶圜。材料是「矽」, IC （IntegratedCircuit）厂用的矽晶片即悬矽晶骨邕因悬整片的矽晶片是罩一完整的晶骨邕故又耦悬罩晶骨望但在整醴固憩晶醴内，冢多小晶醴的方向不相，即悬复晶醴（或多晶醴）。生成罩晶醴或多晶醴与晶醴生辰日寺的温度，速率与亲隹 ^都有^系。
一般清洗技术
光学显影
光学显影是在感光胶上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到感光胶下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了感光胶涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。
曝光方式:紫外线、X射线、电子束、极紫外
省虫刻技林亍（EtchingTechnology）
触刻技林亍（EtchingTechnology）是符材料使用化阜反鹰物理撞拳作用而移除的技林亍。可以分悬：
漏触刻（wetetching）:漏触刻所使用的是化阜溶液，在^谩化阜反鹰之彳爰逵到触刻的目的.
乾套虫刻（dryetching）:乾套虫刻即是利用一种甯学董套虫刻（plasmaetching）。甯^^刻中触刻的作用，可能是甯^中离子撞拳晶片表面所羟生的物理作用，或者是甯学董中活性自由基（Radical）与晶片表面原子^的化阜反鹰，甚至也可能是以上雨者的复合作用。
现在主要应用技术:等离子体刻蚀
常见湿法蚀刻技术
CVD化阜气相沉稹
是利用热能、电浆放电或紫外光照射等化学反应的方式，在反应器内将反应物（通常为气体）生成固态的生成物，并在晶片表面沉积形成稳定固态薄膜film）的一种沉积技术。CVD技术是半导体IC制程中运用极为广泛的薄膜形成方法