文档介绍：计算公式:
创作：欧阳道
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半导体物理书上也有裁流子迁移率的公式，但是上面的是带有平均自由时间的公式，经过变换推倒，就成了上面的那个公式，因此要用vasp计算的参薮有， Sl,me,md,El这四个参薮，计算公式:
创作：欧阳道
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半导体物理书上也有裁流子迁移率的公式，但是上面的是带有平均自由时间的公式，经过变换推倒，就成了上面的那个公式，因此要用vasp计算的参薮有， Sl,me,md,El这四个参薮，其他的都是常薮，可以查询出来带入公式。
参薮:Sl
, 就是需要我们先用vasp计算出声子谱，
我们要对声子谱求导，取导带底处的值，对应的就是电子迁移率的Sl所以需要学会怎么使用phonopy
me
m f「缉IL r r t c> ㊁口 3 ■
:L I , .L … 就是电子的有效质量，要用origin对
能带图求二次导，取导带底对应的值。
md:
=寸m如玉.
… [ mx就是布里渊区 X方向的有效质量，
my就是y方向的有效质量，先用笔算出G列K,M向量，然后分别作这两个向量的垂直向量，在这两个向量方向上取20个权重为0的点，放到KPOINTS中，按照以前的方法，算出来的能带就是x方向上的和y方向上的，然后就可以算出x,y方向上的有效质量。
El
硒侬）祐J
:h 5・由品e Me m *心』把公式变形一下，El, 放在
一边，其他的放在另一边，8V就是原来晶胞的体积改变量，8E就是对应能量的该变量，V0就是晶胞原来的体积，也就是说，我要把原来的晶胞任意改变一下大小，算出导带底能量的变化量，进而就算出了 El这个量。
以上这四个量算出来之后，带入公式计算就可以得出电子的迁移率公式。
电子迁移率主要受到：声学支波散射，光学支波散射，电离杂质杂质散射的影响，因为后二者没有第一个影响火，所以我们计算的迁移率包含的就是在声学支波散射作用下的迁移率。（半导体物理书上都很仔细的介绍。）
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创作：欧阳道