文档介绍：负载并联电抗对PA输出功率和效率的影响极其解决
如图，假设PA的漏极偏置电压VDS_DC恒定，工作在B类，在输出端提供了完美 的Harmonic Short。则若PA的负载为RL = Ro率n会与Pout同步变化。
a) Xcds > Ropt 时，应增大 RL 使得 RL > Ropt
b) Xcds = Ropt 时，RL 应保持 RL = Ropt 不变
c) Xcds < Ropt 时，应减小 RL 使得 RL < Ropt
我们针对不同的Xcds值，分别使用鸵鸟法和RL优化法进行处理，得到输出功率 degradation因子k = Pout/Pmax，数据列表如下，为简便起见，其中的Xcds和调整后RL都 以对Ropt的归一化值列示：
Xcds
鸵鸟法
调整RL法
k
k (dB)
RL调整方向
调整后RL
调整后k
调整后k (dB)
4
%
增大
%
3
%
增大
%
2
%
增大
%
%
增大
%
1
50%
不变
1
50%
20%
减小
%
6
我们可使用下图中的电路，将不同Xcds的归一化值对应的未补偿功率degradation因 子k画出，作为设计的参考：
Term
Term 1 Num=1
Z=1 Ohm
Z1P_Eqn
Z1P1
..-，^ T,xo-.g~ yen，\*^-TSS-LO-JZ-NJ^isxMCJE
一=
Xcds
Z[1,1H*Xcds
：增大Xcds本身，并联谐振法
由上节可以看到，随着Cds变大，Xcds不断变小。随着Xcds的变小，功率损耗因 素k迅速变小。例如当Xcds = Ropt时，k = ，代表着50%的功率损失，这是完全不 可接受的。而要使k>90%，必须要保持Xcds > 3Ropt，这对大多数PA管都是不现实的。 下面我们列出了几种典型功放管的Ropt和Xcds，供参考
型号
工艺
Ropt
Ohm
Cds pF
Xcds/Ropt (***@MHz)
470
860
1500
2000
3000
Cree40010
GaN HEMT
MRF3450
LDMOS
BLF888A
LDMOS
74
BLF881
LDMOS
MRF3090
LDMOS