文档介绍：实验：霍尔效应与应用设计
［教学目标］
通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构；
学会测量半导体材料的霍尔系数的实验方法和技术；
学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。
［实验仪器］
TH-H型实验：霍尔效应与应用设计
［教学目标］
通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构；
学会测量半导体材料的霍尔系数的实验方法和技术；
学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。
［实验仪器］
TH-H型霍尔效应实验仪，主要由规格为＞2500GS/A电磁铁、N型半导体硅单晶切薄片式样、样品架、IS和IM换向开关、VH和V/(即VAC)测量选择开关组成。
TH-H型霍尔效应测试仪，主要由样品工作电流源、励磁电流源和直流数字毫伏表组成。
［教学重点］
霍尔效应基本原理；
测量半导体材料的霍尔系数的实验方法；
“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。
［教学难点］
霍尔效应基本原理及霍尔电压结论的电磁学解释与推导;
各种副效应来源、性质及消除或减小的实验方法；
用最小二乘法处理相关数据得出结论。
［教学过程］
讲授内容：
霍尔效应的发现：
1879,霍尔在研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现："电流通过金属，在磁场作用下产生横向电动势”。这种效应被称为霍尔效应。
结论：V = —，-^―
H ne d
霍尔效应的解释：
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。当载流子所受的横电场力fe=eEH与洛仑兹力fm = evB相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，
(1)
(2)
(3)
eE^ = evB
I = nevbd
S
由 (1)、(2)两式可得：
V = E • b = -1 . IsB = R IsB
H h ne d H d
比例系数Ru =—称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，
H ne
霍尔效应在理论研究方面的进展
1、量子霍尔效应(Quantum Hall Effect)
1980年，德国物理学家冯•克利青观察到在超强磁场(18T)和极低温()条件下，霍尔电压UH与B之间的关系不再是线性的，出现一系列量子化平台。
量子霍尔电阻 R = ' = — • - 1 = 1,2,3
H I e 2 i
2、分数量子霍尔效应
获1985年诺贝尔物理学奖！
1、 1982年，美国AT&T贝尔实验室的崔琦和斯特默发现：“极纯的半导体材料在超低温() 和超强磁场(25T)下，一种以分数形态出现的量子电阻平台”。
2、 1983年，同实验室的劳克林提出准粒子理论模型，解释这一现象。
获1998年诺贝尔物理学奖
霍尔效应的应用
随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。如今，霍尔效应不但是测定