文档介绍：实验七测量三极管的直流放大特性和击穿特性
一、 实验目的
学****晶体管特性图示仪的使用；
2、 测量晶体管的输入和输出特性曲线；
测量晶体管的直流放大系数◎值；
4、 测量晶体管的BVCEO, BVEBO和BVCBO。
二、 实验实验七测量三极管的直流放大特性和击穿特性
一、 实验目的
学****晶体管特性图示仪的使用；
2、 测量晶体管的输入和输出特性曲线；
测量晶体管的直流放大系数◎值；
4、 测量晶体管的BVCEO, BVEBO和BVCBO。
二、 实验原理
输入和输出特性曲线
图1 （1）共基极的输入和输出特性曲线（2）共发射极的输入和输出特性曲线
双极晶体管的电流放大作用
当晶体管处于有源放大区（发射结正偏，集电结反偏）时，其电流的组成为:
图2 放大模式偏置下PNPBJT中的扩散电流
IE=IEp+IEn 正向注入的空穴电流和电子电流
IC=ICp+ICn 反向饱和漏电流ICBO和从发射结注入基区又到
达
集电结的空穴所形成的电流Icp
CP
% 二 ~y~
r IB=IE-IC=IB1+IB2+IB3 （ IB1=IEn, IB3=ICn, IB2 是流入基区与发射区
注入的空穴复合而损失的电子流。）
我们定义共基极直流电流增益：
'上'・总是小于1（"：应尽量接近1）。
定义共射极直流电流增益:
& （◎越大表明电流传输过程中的损失越小）
.-一金,二点/缶+切a
测量3值
由共射极输出特性曲线
图3 共射极输出特性曲线
随着与增加，集电极电流按■的规律增加
3、晶体管的击穿特性
（1）共射极时的击穿和M顽-
对共射极接法的有源放大区中，集电极电流为
图4共发射极电路
=&八+匕五口
--一（M为倍增因子）
当发生雪崩倍增效应时，IC变成:
C ~ 1-^.M "
上式中，--―以"表示发生雪崩倍增后的电流增益，
表示发生雪崩倍增后的穿透电流。
这时，定义：将基极开路，使L二T'时的称为集电极与发射极之间的击穿
电压，记为卒：注。其测试电路如图所示。
图5 BVCEO击穿特性测试图
在测量泌=时，经常出现如图所示的负阻现象，即当增大到支u发生击穿后， 电流上升，电压却反而下降，此时「上为维持电压。这是由于与击穿条件（倍增银 子M）在小电流下较大，而导致击穿电压‘上注高；而电流增大后，M减小，击穿电 压支上也下降到正常值。击穿时的输出特性曲线如图。
图6 C-E间的击穿特性
（2）E-B结的击穿和，'***
集电极开路（乙=-）时，发射极与基极间反偏时的发射极电流为二二-。当二注t
时的E-B间的反向击穿电压即为套%：
。通常是由发射结的雪崩击穿电压决定，一
般要求祥二心-「。其测试电路如图。
图7 BVEBO击穿特性的测试电路图
（3）C-B结的击穿和BVCBO
三、实验内容及步骤
1 .开机前先将各控制旋纽调定如下：
Y轴选择开关一阶梯
X轴选择开关一2V/度
零电流、零电压开关一正常
阶梯极性一正
级/族一10
集电极扫描极性一正
峰值电压范围一0~20V
峰值电压一0
功耗限制电阻一2K
输出特性曲线