文档介绍：该【CIGS薄膜电池 】是由【niuww】上传分享，文档一共【27】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【CIGS薄膜电池 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。主要内容
CIGS电池特点
发展历史
电池理制备及其性能
研究进展
存在的问题
CIGS电池特点
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有黄铜矿晶体结构
(1)光电转换效率高
%,是各类薄膜太阳电池的最高记录
(2)电池稳定性好,性能基本无衰降。
(3)抗辐照能力强,用作空间电源有很强的竞争力
(4)弱光特性好
CIGS电池特点
(5)通过适量的Ga取代In,形成CIGS四元多晶固溶体,~
(6)CIGS是直接禁带材料,其可见光吸收系数高达105cm-1数量级,非常适合太阳电池的薄膜化。
(7)技术成熟后,电池制造成本和能量偿还时间均低于晶体硅太阳电池。
发展历史
firstCuInSe21970sBellLaboratories
firstthin-filmCuInSe2/CdSKazmerskietc.
firsthigh-%Boeing
manufacturingissues1980s
Boeing(coevaporation),ARCOSolar(two-stageprocessfollowedbyanneal)
%(coevaporation)2010
电池结构和性能
p型CIGS和n型CdS及高阻n型ZnO形成p-n异质结是CIGS薄膜太阳电池的核心层
各层制备工艺
组件结构
CIGS光伏组件是由许多宽约5~7mm的条状电池串接而成。三次切割划线完成了各子电池的界定、分割和互联。此三条切割线及其之间的间距均对光电转换效率没有贡献,称之为死区。因此这些线宽和间距应尽量小
吸收层制备方法
性能参数比较
CIS与其它太阳电池材料吸收系数的比较
缺陷种类及能级位置
主要的几种缺陷Vcu、Incu、Vse、CuIn
光电流损失
下实线为偏压0V,上实线为偏压-1V图5CIGS薄膜电池的量子效曲线