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电子技术基础 数字部分(第六版)康华光-ch03-4.ppt

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电子技术基础 数字部分(第六版)康华光-ch03-4.ppt

上传人:Q+1243595614 2017/9/29 文件大小:181 KB

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电子技术基础 数字部分(第六版)康华光-ch03-4.ppt

文档介绍

文档介绍:类NMOS和BiCMOS逻辑门电路
类NMOS门电路
BiCMOS门电路
MOS集成电路分为PMOS、NMOS和CMOS。
NMOS比PMOS速度快。
CMOS有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点成为主流器件。但CMOS电路增加一个输入端必须增加一个PMOS和一个NMOS管,在某些希望芯片面积小的应用,仍采用NMOS。
类NMOS电路可与CMOS电路相匹配。
类NMOS门电路
1. 类NMOS反相器
当vI=0 : NMOS管截止, PMOS管导通,输出高电平。
当vI=VDD : NMOS管和PMOS管均导通, NMOS管比PMOS管导通电阻小很多,输出低电平。
2. 类NMOS与非门和或非门
特点:功耗低、速度快、驱动力强
BiCMOS门电路
I为高电平:
MN、M1和T2导通,MP、M2和T1
截止,输出O为低电平。
工作原理:
M1的导通, 迅速拉走T1的基区存储电荷; M2截止, MN的输出电流全部作为T2管的驱动电流, M1 、 M2加快输出状态的转换
I为低电平:
MP、M2和T1导通,MN、M1和T2
截止,输出O为高电平。
T2基区的存储电荷通过M2而消散。
M1 、 M2加快输出状态的转换电路的开关速度可得到改善
M1截止,MP的输出
电流全部作为T1的驱动电流。

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