文档介绍：1. 写出非限定情况下麦克斯韦方程组的微分形式,并简要说明其物理意义。
,(3分)(表明了电磁场和它们的源之间的全部关系除了真实电流外,变化的电场(位移电流)也是磁场的源;除电荷外,变化的磁场也是电场的源。
1. 写出时变电磁场在1为理想导体与2为理想介质分界面时的边界条件。
2. 时变场的一般边界条件、、、。(或矢量式、、、)
1. 简述穿过闭合曲面的通量及其物理定义 
2.     是矢量A穿过闭合曲面S的通量或发散量。若Ф> 0,流出S面的通量大于流入的通量,即通量由S面内向外扩散,说明S面内有正源若Ф< 0,则流入S面的通量大于流出的通量,即通量向S面内汇集,说明S面内有负源。若Ф=0,则流入S面的通量等于流出的通量,说明S面内无源。
1. 在直角坐标系证明
2.
1. 简述亥姆霍兹定理并举例说明。
2. 亥姆霍兹定理研究一个矢量场,必须研究它的散度和旋度,才能确定该矢量场的性质。例静电场有源
无旋
1. 已知 ,证明。
2. 证明

……
1. 试写出一般电流连续性方程的积分与微分形式,恒定电流的呢?
2. 一般电流;
恒定电流
1. 试写出静电场基本方程的积分与微分形式。
2. 答静电场基本方程的
积分形式,
微分形式
1. 试写出静电场基本方程的微分形式,并说明其物理意义。
2. 静电场基本方程微分形式,说明激发静电场的源是空间电荷的分布(或是激发静电场的源是是电荷的分布)。
1. 试说明导体处于静电平衡时特性。
2. 答导体处于静电平衡时特性有
①导体内;
②导体是等位体(导体表面是等位面);
③导体内无电荷,电荷分布在导体的表面(孤立导体,曲率);
④导体表面附近电场强度垂直于表面,且。
1. 试写出两种介质分界面静电场的边界条件。
2. 答在界面上D的法向量连续或();E的切向分量连续或()
1. 试写出1为理想导体,二为理想介质分界面静电场的边界条件。
2. 在界面上D的法向量或();E的切向分量或()
1. 试写出电位函数表示的两种介质分界面静电场的边界条件。
2. 答电位函数表示的两种介质分界面静电场的边界条件为,
1. 试推导静电场的泊松方程。
2. 解由    ,其中 ,
为常数
     泊松方程
1. 简述唯一性定理,并说明其物理意义
2. 对于某一空间区域V,边界面为s,φ满足
,
给定(对导体给定q)
则解是唯一的。只要满足唯一性定理中的条件,解是唯一的,可以用能想到的最简便的方法求解(直接求解法、镜像法、分离变量法……),还可以由经验先写出试探解,只要满足给定的边界条件,也是唯一解。不满足唯一性定理中的条件无解或有多解。
1. 试写出恒定电场的边界条件。
2. 答恒定电场的边界条件为,,
1. 分离变量法的基本步骤有哪些?
2. 答具体步骤是1、先假定待求的位函数由两个或三个各自仅含有一个坐标变量的乘积所组成。2、把假定的函数代入拉氏方程,使原来的偏微分方程转换为两个或三个常微分方程。解这些方程,并利用给定的边界条件决定其中待定常数和函数后,最终即可解得待求的位函数。
1. 叙述什么是镜像法?其关键和理论依据各是什么?
2. 答镜像法是用等效的镜像电荷代替原来场问题的边界,其关键是确定镜像电荷的大小和位置,理论依据是唯一性定理。
7、试题关键字恒定磁场的基本方程
1. 试写出真空中恒定磁场的基本方程的积分与微分形式,并说明其物理意义。
2. 答真空中恒定磁场的基本方程的积分与微分形式分别为
’
说明恒定磁场是一个无散有旋场,电流是激发恒定磁场的源。
1. 试写出恒定磁场的边界条件,并说明其物理意义。
2. 答:恒定磁场的边界条件为:,,说明磁场在不同的边界条件下磁场强度的切向分量是不连续的,但是磁感应强强度的法向分量是连续。
1. 由麦克斯韦方程组出发,导出点电荷的电场强度公式和泊松方程。
2. 解点电荷q产生的电场满足麦克斯韦方程
和
由得
据散度定理,上式即为
利用球对称性,得
故得点电荷的电场表示式
由于,可取,则得
即得泊松方程
1. 写出在空气和的理想磁介质之间分界面上的边界条件。
2. 解空气和理想导体分界面的边界条件为
根据电磁对偶原理,采用以下对偶形式
即可得到空气和理想磁介质分界面上的边界条件
式中,Jms为表面磁流密度。
1. 试写媒质1为理想介质2为理想导体分界面时变场的边界条件。
2. 答边界条件为
或
或
 或
或  
1. 试写出理想介质在无源区的麦克斯韦方程组的复数形式。
2. 答

1. 试写出波的极化方式的分类,