文档介绍：闪光灯电路设计
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闪光灯电路用一个实例来说明下,电路如下图:
C77
556闪光灯
闪光灯电路主要包括充电电路,放电电路,控制电路,整个工作顺序如下:
闪光灯控制芯片LP7270B,当接收到CPU的充电命令,即FLASH_CHARGE为高时,U6通过6脚MOSFET 开关导通的,使升压变压器TR1产生高电压脉冲,利用变压器一次侧的电感储能,将能量传送到二次侧的大电容,对大电容进行充电(充电电流的大小由U6的10脚的下拉电阻R144决定,峰值电流I-peak=40000/R144)。使TC1达到300V的直流电压,转换效率大约是80%。当达到所需电压时,电路会断开MOSFET,停止充电,U6拉低“DONE”线,告诉CPU已经充电完成。大电容的漏电损耗能通过间隔的MOS开关循环充电得以补偿,需要软件来设置。TC1的电压幅度由反馈电阻R133,R134,R136来确定,
计算公式:Vc=*[1+( R133+R134)/R136]
所以当大电容的充电电压一定的时候,闪光灯的放电能量就由大电容的容量来决定了,这是在不超过灯能量或电容器额定电压的情况下确保闪光强度的必要条件,只要通过电容值的设定就能轻松设定闪光灯能量。
当DV拍照需要闪光的时候,CPU对U6发出触发信号,即FLASH_TRIG出现一个高电平,U6的4,5脚产生触发信号,触发IGBT/AP28G45GEO(IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。击穿电压最高可达1200V,集电极最大饱和电流可超过1500A。),使IGBT由截止变为导通,打开整个放电电路,由TR2触发线圈生成高压触发脉冲,如TC1完全充电,C83积聚电流到TR2的主边,再由TR2副端传递高压触发脉冲到闪光灯,电离使之传导,TC1在灯内放电并形成闪光。
既是触发线圈TR2的3脚产生数千伏的触发脉冲,使闪光灯的柱形玻璃管充满的氙气被击穿,气体被击穿后,电容器、连线和灯的阻抗通常总共只有几欧姆,产生的瞬间电流范围在100A以内,强大的电流脉冲会产生强烈的闪光。当电流脉冲衰减后,闪光灯电压降到一个低点且闪光灯回复至其高阻抗状态,从而需要另一个触发来启动传导。大电流通过D3,Q6又回流到大地上,U6发信号关闭Q6,一次闪光放电完成,U6重新开启充电回路,给大电容TC1充电,为下次闪光做准备。
在实际拍照时会选择部分放电,从而产生不太强烈的闪光,这样运作可以减少“红眼”,即一个或多个减弱强度的闪光会立刻领先于主要的闪光。实现的方法是U6的4,5脚控制“触发/闪光命令”控制线脉冲宽度来设置电流流
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动时间和闪光能量。低能量、电容器部分放电能允许快速再充电,能在不损伤闪光灯的情况下立刻在主闪光之前数次快速连续地以低亮度闪光,从而实现防红眼的设计。
1, 实际设计中需要注意的问题