《外延及CVD工艺》.ppt

文档介绍：该【《外延及CVD工艺》 】是由【相惜】上传分享，文档一共【29】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【《外延及CVD工艺》 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。第二章外延及CVD工艺§:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长,并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。Date1编辑课件CVD:ChemicalVaporDeposition晶体结构良好掺入的杂质浓度易控制可形成接近突变p—n结外延分类:气相外延(VPE)--常用液相外延(LPE)--ⅢⅤ.固相外延(SPE)--(MBE)--超薄化学气相淀积(CVD)----低温,非晶Date2编辑课件材料异同同质结Si-Si异质结GaAs--AlxGa(1-x)As温度:高温1000℃以上低温1000℃以下CVD〔低温〕:反响剂浓度Date5编辑课件温度:B区高温区〔常选用〕,A区低温区Date6编辑课件气体流速:气体流速大生长加快Date7编辑课件生长速率还与反响腔横截面形状和衬底取向有关矩形腔的均匀性较圆形腔好。晶面间的共价键数目越多,生长速率越慢。(去除前次外延后基座上的硅)N2预冲洗260L/min4minH2预冲洗260L/