文档介绍：Harbin Institute of Technology
《数字电路》
课件-----------------
内部资料
第八章存储器与可编程逻辑器件
8-1概述
存储器:
可编程逻辑器件:PLD
总限定记号
中文名称
说明
存
储
器
RAM
随机存取存储器
Random Access Memory
① SRAM:Static RAM
② DRAM:Dynamic RAM
ROM
只读存储器
Read Only Memory
固定掩模存储器―MROM
Mask ROM
PROM
可编程只读存储器
Programmable ROM
① EPROM Erasable PROM
② EEPROM Electrically EPROM
可
编
程
逻
辑
器
件
PLD
PLA
可编程逻辑阵列
Programmable Logic Device
与、或阵列均可编程
PAL
可编程阵列逻辑
Programmable Array Logic
与阵列可编程,输出结构可选
GAL
通用阵列逻辑
General Array Logic
与阵列和输出结构均可编程
PGA
可编程门阵列
Programmable Gate Array
LCA
逻辑单元阵列
Logic Cell Array
iSP
在系统可编程器件
in System Programmable
可在线多次改写的PLD
FPGA
现场可编程门阵列
Field Programmable Gate Array
8-2随机存取存储器-RAM
8-2-1 静态随机存取存储器――SRAM
图8-1 8×4位SRAM
地
址
控
制
译
码
器
地
址
输
入
SRAM的读写时序
R/W
SRAM写操作时序
R/W
SRAM读操作时序
8-2-2 动态RAM-DRAM
工作原理:
SMJ4164结构
DRAM的三种基本操作

8-2-3 RAM的扩展与应用
一、容量的扩展
位扩展:存储器并行数据位数的扩展
字扩展:存储深度的扩展
例8-1 试将容量为256×4位的SRAM(AM9122),
扩展成512×8位的RAM组合
分析:位扩展 4→ 8 需两片AM9122
字扩展256 →512 深度为原来的两倍
2×2=4
共需4片容量为256×4位的SRAM(AM9122)
二、双端口RAM
三、用RAM作为移位序列发生器
四、先进先出存储器
(FIFO——First In First Out)
用边读边写双端口RAM构成FIFO
用标准RAM构成FIFO
8-3 只读存储器——ROM
8-3-1 ROM的构成——MROM