文档介绍：NVRAM产品概述演示
NVRAM产品概述
赛普拉斯提供行业中最快与 最节能的非易失性RAM解决方案
赛普拉斯是NVRAM市场的领导者
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赛普拉斯提供最丰富的串行和并行非易失性随机存取存储器产品系列
F-RAM™:行业中最节能的串行NVRAM
nvSRAM:行业中最快的并行NVRAM
 
赛普拉斯提供行业中最节能和最可靠的多种F-RAM产品系列
F-RAM只消耗最先进的EEPROM的30%的功耗,但提供了比EEPROM高100,000,000倍的擦写周期
容量从4Kb至2Mb, V
SPI和I2C串行F-RAM产品可以支持SOIC8,DFN8与EIAJ的封装形式
集成实时时钟也在nvSRAM产品中提供
 
赛普拉斯提供了工业中最快的串行nvSRAM产品系列
访问时间范围从20 ns到45 ns,具有无限次的读写周期
容量范围从64Kb到16Mb, V,I/ V
异步的x8、x16、x32 SRAM并行接口并可支持不同的封装类型
并在nvSRAM产品中集成了实时时钟功能
赛普拉斯:
是第一个生产F-RAM和nvSRAM产品的公司,拥有25年以上的经验
并且继续大量投资新产品
保证提供的产品满足最严格的汽车和军用标准
承诺长期提供F-RAM和nvSRAM产品
已经销售了10亿片的NVRAM芯片
赛普拉斯提供工业中最快、最节能和最可靠的NVRAM解决方案,以存储和保护世界上最重要的数据
NVRAM产品概述演示
串行的非易失性存储器术语
非易失性存储器(NVM)
掉电时,存储器仍保留信息
非易失性随机存取存储器(NVRAM)
非易失性存储器允许完全随机的直接存储数据
铁电性随机存储存储器(F-RAM)
使用铁电技术来保存数据的写速度快、高耐久性和低功耗非易失性存储器
上电时可擦除并且可编程的只读存储器(EEPROM)
使用浮栅技术保存数据的通用非易失性存储器
页写
对存储器长度固定的连续模块进行写操作
等待时间
数据出现在输入缓冲区后,完成EEPROM页写操作需要5 ms时长
写入次数
非易失性存储器单元磨损前,可以对其进行的重写操作次数
耗损均衡技术
一种延长EEPROM写入耐久性的方法,该方法使用8倍的容量和一个软件算法,以便在达到有效地址上的写入耐久性限制之前将存储移位到未使用的存储器内
AEC-Q100
汽车电子协会定义的汽车应用质量和可靠性标准
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NVRAM产品概述演示
串行NVM的设计问题
1. 掉电后,许多电子器件必须将系统数据保存在非易失性存储器内
对于每个页写操作,EEPROM需要保持5 ms的有效供电由于写等待时间限制
所以需要增加额外的电容或电池,以便在掉电时支持页写操作,这样会提高成本并降低其可靠性
重要的任务数据会受到辐射和/或磁域的影响
2. 许多应用要求的数据记录次数都会超过EEPROM一百万次写周期
在产品生命周期内要提高EEPROM写入耐久性时,需要使用耗损均衡技术
耗损均衡技术需要8倍的x存储器容量和其他软件,因此将加大成本
3. 使用EEPROM会增大了系统功耗
对于5 ms EEPROM的写等待时间的问题
对于需要耗损均衡技术的问题
F-RAM 方案将会解决所有这些问题
由于没有写等待时间,因此完成页写操作时不需要增加额外的电容和电池
支持一百万亿个写操作,不需要使用耗损均衡技术
有效功率的功耗比EEPROM的小两倍到五倍,因此能够降低系统功耗
F-RAM单元受伽马辐射容差而且不受由磁域造成的损坏
赛普拉斯F-RAM提供一亿次的写操作而功耗只有EEPROM的30%
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NVRAM产品概述演示
串行F-RAM是更好的解决方案
提供电源的额外电容
每一次页写操作的5 ms EEPROM等待时间
简化一个基于EEPROM的通用、复杂设计…
F-RAM引脚至引脚的兼容
(对于EEPROM SOIC8)
选择F-RAM作为你的串行的非易失性存储器解决方案…
为各种应用程序,特别是具有关键任务的应用程序提供更好的解决方案,并且需要较低的成本。
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汽车电子
工业控制
智能电表
多功能打印机
医疗设备
文件系统
存储器
控制器
受损单元
需要8倍的EEPROM 的容量用于耗损均衡技术
如需要2 x 256Kb应用在只需要64Kb容量的系统
需要提高EEPROM写入耐久性的耗损均衡技术软件算法EEPROM写入耐久性
NVRAM产品概述演示
特性
F-RAM
F-RAM
EEPROM
NOR Flash
SPI速度
40 MHz
33 MHz
20 MHz
50 MHz
I2C速度
MHz
1 MHz
1 MHz
N/A