文档介绍：赛普拉斯推出业界最快的高密度 NVRAM解决方案16MbnvSRAM 新产品介绍16MbnvSRAM新产品介绍(工程设计)估计20142年非易失性RAM(NVRAM),年均增长率将达10% 赛普拉斯的16MbNVRAM应用:工业自动化计算机和网络航空与国防电子游戏该市场的客户要创建高性能系统, 该系统在掉电时要立即且可靠保存数据客户喜欢无电池且节能的系统某些客户还要求兼容ONFI3的NVRAM接口目前的解决方案—电池备份SRAM—不能满足上述任何要求请体验从电池备份SRAM转到NVRAM带来的巨大变化1总体有效市场2根据Web-Feet研究3开放式NAND闪存接口标准对高性能的需求正在推动 非易失性RAM的增长3a16MbnvSRAM新产品介绍(工程设计)赛普拉斯是NVRAM市场的领导者3b赛普拉斯提供最丰富的串行和并行非易失性随机存取存储器产品系列F-RAM™:行业中最节能的串行NVRAMnvSRAM:行业中最快的并行NVRAM 赛普拉斯提供行业中最节能和最可靠的多种F-RAM产品系列F-RAM只消耗最先进的EEPROM功耗的30%,支持高达100,000,000次的擦写F-RAM容量从4Kb至2Mb,-RAM产品在SOIC8、DFN8和EIAJ封装中提供在nvSRAM产品中提供了实时时钟和计数器 赛普拉斯提供了工业中最快的串行nvSRAM产品系列访问时间范围从20ns到45ns,具有无限次的读写次数容量范围从64Kb到16Mb,,I/、x16、x32SRAM可支持不同的封装类型并在nvSRAM产品中集成了实时时钟功能赛普拉斯:是第一个生产F-RAM和nvSRAM产品的公司,拥有25年以上的经验并且继续大量投资新产品保证提供的产品满足最严格的汽车和军用标准承诺长期提供F-RAM和nvSRAM产品已经销售了10亿片的NVRAM芯片赛普拉斯提供工业中最快、最节能且最可靠的NVRAM解决方案, 用于存储和保护世界上最重要的数据16MbnvSRAM新产品介绍(工程设计)并行非易失性存储器术语非易失性存储器(NVM)掉电时,仍保留数据的存储器非易失性随机存取存储器(NVRAM)允许通过任何随机顺序直接访问存储数据的非易失性存储器写入耐久性非易失性存储器单元磨损前,可以对其进行的重写操作次数硅—氧化硅—氮化硅—氧化硅—硅(SONOS)用于创建非易失性存储器存储单元的晶体管,它由多晶硅栅(S)、氧化氮氧化(ONO)栅极电介质和硅衬底(S)组成。 非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)带有SONOS非易失性存储器单元(嵌入式在各SRAM单元内)的快速SRAM存储器,掉电时可以保留数据开放式NAND闪存接口(ONFI)标准开放式接口标准,用以确保来自不同供应商的NAND器件间的兼容性和互操作性电池备份SRAM(BBSRAM)连接到电池的SRAM存储器,掉电时能够保留数据有害物质的限制(RoHS)防止在电气组件内使用有害物质的欧盟指令独立磁盘冗余阵列(RAID)使用两个或更多磁盘驱动器的存储技术,以用于冗余性能416MbnvSRAM新产品介绍(工程设计)(>1ms),并且写入耐久性受限低功耗异步SRAM的访问时间大概为45ns,且需要电池备份,以便在发生掉电时可以存储数据大多数NVRAM并不提供ONFI标准,,使得系统成本和复杂性均被增加由于纽扣电池的使用寿命有限并会降低可靠性,因此会强制规定进行维护系统和停机时间在恢复系统功耗前,如果电池耗尽,会丢失数据,因此要求快速修复时间电池中含有重金属,,时间限制在35ns到100ns之间赛普拉斯的16MbnvSRAM能解决上述所有的问题提供25ns的读/写访问时间,,掉电时不需要电池进行保存数据,从而能满足RoHS规定掉电时仍能存储数据而不需要外部功耗管理电路和固件提供集成的高精度实时时钟5赛普拉斯16MbnvSRAM是业界最快的高密度NVRAM。它通过移除电池和时钟芯片 能够降低系统成本和复杂性16MbnvSRAM新产品介绍(工程设计)并行nvSRAM是