文档介绍：1732 光谱学与光谱分析 第31卷响源于电压对载流子输运的影响。通常,随着电场的增强载 看到,随着PCBM:PVK中PCBM浓度的增加,相同电压
流子的迁移率提高。有文献E19]报道了PVK及Aim的迁移下电致发光光谱的发光峰向长波长方向移动,这说明载流子率测量,从中可以看到Aim的电子迁移率随电场增强的提的复合区向Aim即阴极方向移动。这种载流子复合区的移高比PVK的空穴迁移率随电场增强的提高要快得多。在我动是由于在相同的电子迁移率情况下,随着PCBM:PVK 们制备的器件体系中,随着电压的增强载流子的复合区向阳中PCBM浓度的增加,作为空穴传输层的PCBM:PVK薄极方向移动,就是源于Aim电子迁移率的提高远大于PVK 膜的空穴迁移率提高,这样就导致了载流子的复合区向阴极(或PCBM;PVK)的空穴迁移率的提高。这与文献E213的结移动。,电子迁移率相对提果吻合的很好。高,载流子复合区向阳极移动,空穴迁移率相对提高,则载
流子复合区向阴极移动。
的影响主要源于载流子输运情况。我们可以通过改变PCBM
这种载流子输运对载流子复合Ⅸ形成的影响。我们制备了纯 蔷
空穴器件(hole only device)ITO/PCBM:PVK(x Wt%)/Au 重
量
来观察这种载流子输运能力的变化。如图5所示,随着
PCBM:PVK中PCBM浓度的增加,相同的电压下器件具有更大的电流。这表明随着PCBM浓度的增加,PVK: PCBM薄膜空穴传输能力得到提高。
咖 Wavelength/nm
啪 啦6 Normalized EL spectm of the devices研m yariolls
eonoentrations at the鬣Ill硷voltage(16 V)
m
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叭 3结论
,gQ.《昌、扫一∞_H名曹譬-jo
(珊 制备了以结构IT0/PCBM:PVK(z Wt%,~40 nm)/
DPVBi(30 nm)/Alm(30 nm)/Al为基础的一系列有机发光
№5 Curves for current density versus VOItage(卜V)ch铷r- 化锂的对比,得到本体系中载流子的注入对载流子复合区的
aeteristies of the Imle-only devices with various concen- 形成影响很小。电压及PCBM浓度变化带来了电致发光光谱
trations 变化,观察到了载流子复合区的移动,且这种移动的本质均是源于载流子输运情况的改变。电子迁移率相对提高,载流
这种载流子输运情况可以改变载流子的复合区,我们利 子复合区向阳极移动,空穴迁移率相对提高,则载流子复合
用ITO/PCBM:PVK(x Wt%,~40 nrn)/DPvBi(30 nm)/ 区向阴极移动。该工作对有机电致发光机理的进一步探讨、
Aim(30 nm)/A1这样的结构来研究这种影响。从图6中可以 高效率多色发光器件的制备具有一定的参考价值。
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第7期光谱学与光谱分析 1733
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Key Laboratory of Luminesce