文档介绍：天科合达 2 英寸 SiC 晶片产品标准
2 inch diameter Silicon Carbide (SiC) Substrate Specification
等级 Grade 工业级 Production Grade 研究级 Research Grade 试片级 Dummy Grade
直径 Diameter mm± mm (″±″)
厚度 Thickness 330/430 μm±25μm
晶片方向 Wafer Orientation On axis : <0001>±° Off axis : °/°/ toward 0211 >< ±°
主定位边 Primary Flat {10-10}±°
主定位边长度 Primary Flat Length mm± mm (″±″)
次定位边长度 Secondary Flat Length mm± mm (″±″)
次定位边方向 Secondary Flat Orientation Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5°/C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5°
边缘 Edge exclusion 1 mm
总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp ≤25μm /≤25μm /≤25μm
微管密度 Micropipe Density ≤10 cm-2 ≤30 cm-2 ≤100 cm-2
半高宽 FWHM <30 arcsec <50 arcsec Na
4H-N ·cm ~ Ω·cm 4H-N ·cm ~·cm 4H-N ·cm ~·cm
电阻率 Resistivity 6H-N ·cm ~ Ω·cm 6H-N ·cm ~·cm 6H-N ·cm ~·cm
6H-SI (90%) >1E5 Ω·cm 6H-SI (80%) >1E5 Ω·cm 6H-SI (70%) >1E5 Ω·cm
Polish Ra≤1 nm Polish Ra≤1 nm N/A
表面粗糙度 Roughness
CMP Ra≤ nm CMP Ra≤ nm N/A
裂纹(强光灯观测)
Edge<1mm Edge1-2mm Cumulative length≤10mm,single