文档介绍：离子蚀刻机和激光无掩膜光刻机LW405价格
标题:扫描电子束曝光系统和台式光刻机参数
库号:JX 价格:百度搜【润联网】查询
主要技术参数:
离子蚀刻机 20-M / NS-12适合大规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 4英寸 X 12片直径 18英寸 X 3片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点:1. 干式制程的微细加工装置,使得在薄膜磁头,半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性,无论使用什么材料都可以用来加工,所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整,蚀刻可以根据需要做垂直,斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上,所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构,使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程,所以可以有非常友好的使用生产过程。
标题:离子蚀刻机和台式光刻机价格
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主要技术参数:
离子蚀刻机 10-M / NS-5:适合小规模量产使用和实验室研究基片尺寸直径 6英寸 X 1片样品台直接冷却,单独冷却离子源10cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点:1. 干式制程的微细加工装置,使得在薄膜磁头,半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性,无论使用什么材料都可以用来加工,所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整,蚀刻可以根据需要做垂直,斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上,所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构,使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程,所以可以有非常友好的使用生产过程。
标题:离子蚀刻机和离子刻蚀机价格
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主要技术参数:
仪器简介:在过去的几年中,半导体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了追求晶片更高的运算速度与更高的效能,三十多年来,半导体产业遵循著摩尔定律(Moore’s Law):每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增,持续地朝微小化努力。为继续摩尔定律,在此期间,与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展,科学家提出各种解决方案如:图形曝光(光刻)技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中,图形曝光技术(微影术)是微电子制造技术发展的主要推动者,正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高,促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。电子束曝光系统(electron beam lithography, EBL)是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近,美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置(Nanometer Patt
标题:激光无掩膜光刻机LW405和成套电子束光刻系统参数
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主要技术参数: